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TC58NVG1S3HTA00 FLASH NAND SLC Speicher IC 2Gbit Parallel 25 Ns 48-TSOP
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | TC58NVG1S3HTA00 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 1-3 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100,000 |
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Detailinformationen |
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| Speichertypen: | Nicht flüchtig | Speicherformat: | Flasch |
|---|---|---|---|
| Technologie: | FLASH - NAND (SLC) | Speichergröße: | 2Gbit |
| Gedächtnisorganisation: | 256M x 8 | Speicheroberfläche: | Parallel |
| Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: | 25ns | Zugriffszeit: | 25 ns |
| Markieren: | TC58NVG1S3HTA00,48-TSOP-Speicher-IC |
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Produkt-Beschreibung
TC58NVG1S3HTA00 FLASH - NAND (SLC) Speicher IC 2Gbit Parallel 25 ns 48-TSOP
SpezifikationenTC58NVG1S3HTA00
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
| Gedächtnis | |
| Gedächtnis | |
| Mfr | Kioxia America, Inc. |
| Reihe | - |
| Paket | Tray |
| Produktstatus | Aktiv |
| Speichertypen | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | Flasch |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2 Gbit |
| Gedächtnisorganisation | 256 M x 8 |
| Speicheroberfläche | Parallel |
| Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite | 25 ns |
| Zugriffszeit | 25 ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 48-TSOP I |
| Basisproduktnummer | TC58NVG1 |
Merkmale der TC58NVG1S3HTA00
* Organisation
- Speicherzellen-Array 2176 ¢ 128K ¢ 8
- Registrierung 2176 8
- Seitengröße 2176 Bytes
- Blockgröße (128K 8K) Bytes
* Modus
- Lesen, Zurücksetzen, automatisches Seitenprogramm, automatisches Löschen von Blöcken, Statuslesen, Seitenkopien,
- Mehrseitenprogramm, Mehrseitenlöschen, Mehrseitenkopieren, Mehrseitenlesen
* Steuerung des Modus
- Serieneingang/Ausgang
- Kommando-Steuerung
* Anzahl der gültigen Blöcke
- Min 2008 Blöcke
- Maximal 2048 Blöcke
* Stromversorgung
- VCC ¥ 2,7 V bis 3,6 V
* Zugangszeit
- Zell-Array zu registrieren 25 ¢ s max.
- Lesezykluszeit 25 ns min (CL=50pF)
* Zeit des Programmiers/der Löschung
- Auto-Seite-Programm 300 S/Seite.
- Autoblock löschen 2,5 ms pro Block.
* Betriebsstrom
- Lesung (25 ns Zyklus) maximal 30 mA
- Programm (durchschnittlich) max. 30 mA
- Löschung (durchschnittlich) maximal 30 mA
- Standby 50 A max.
Einführung in TC58NVG1S3HTA00
Der TC58NVG1S3HTA00 ist ein einzelner 3,3-Volt-2-Gigbit (2,281,701,376 Bits) NAND Elektrisch löschbares und programmierbares Lese-allein-Speicher (NAND E2PROM) organisiert als (2048 + 128) Bytes ¢ 64 Seiten ¢ 2048 Blöcke.
Umwelt undExportklassifizierungen von TC58NVG1S3HTA00
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | 3A991A2 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
