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ÄHNLICHKEIT 45NS 44TSOP ICs 4MBIT Chip CY62147G30-45ZSXAT integrierter Schaltung
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | CY62147G30-45ZSXAT |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Speicherkapazität: | 4 MBit | Speicherorganisation: | 256K x 16 |
|---|---|---|---|
| Gedächtnis-Schnittstelle: | Parallel | Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | 45ns |
| Zugriffzeit: | 45 ns | Spannung - Versorgung: | 2.2V | 3.6V |
| Betriebstemperatur: | -40°C | 85°C (TA) | Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Markieren: | CY62147G30-45ZSXAT,ÄHNLICHKEIT 45NS ICS 4MBIT,Chip der integrierten Schaltung 44TSOP |
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Produkt-Beschreibung
Chip IC 4Mbit parallele 45 ns 44-TSOP CY62147G30-45ZSXAT integrierter Schaltung
ÄHNLICHKEIT 44TSOP II ICS SRAM 4MBIT
Spezifikationen von CY62147G30-45ZSXAT
| ART | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
| Gedächtnis | |
| Gedächtnis | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Reihe | MoBL® |
| Paket | Band u. Spule (TR) |
| Schneiden Sie Band (CT) | |
| Produkt-Status | Aktiv |
| Gedächtnis-Art | Flüchtig |
| Gedächtnis-Format | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchron |
| Speicherkapazität | 4Mbit |
| Speicherorganisation | 256K x 16 |
| Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 45ns |
| Zugriffzeit | 45 ns |
| Spannung - Versorgung | 2.2V | 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C | 85°C (TA) |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Paket/Fall | 44-TSOP (0,400", 10.16mm Breite) |
| Lieferanten-Gerät-Paket | 44-TSOP II |
| Niedrige Produkt-Zahl | CY62147 |
Eigenschaften von CY62147G30-45ZSXAT
■Hohe Geschwindigkeit: 45 ns/55 ns
■Temperaturspannen
❐ Automobil-EIn: -40 C bis +85 C
❐ Automobil-e: -40 C bis +125 C
■Ultra-niedrige Reserveleistung
❐ typischer Bereitschaftsstrom: 3,5 A
■Eingebetteter ECC für Einzelbitfehlerkorrektur [1, 2]
■Breiter Spannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V
■Zurückhalten der Daten 1.0-V
■TTL-kompatibler Input und Ertrag
■Pb-freier 48 Ball VFBGA und 44 Pakete des Stift TSOP II
Funktionsbeschreibung von CY62147G30-45ZSXAT
CY62147G/CY621472G ist leistungsstarke Niederleistungs (MoBL) SRAM Geräte CMOS mit eingebettetem ECC. Beide Geräte sind
angeboten in den einzelnen und Doppelsignalfreigabe- eines bausteinswahlen und in den mehrfachen Stiftbelegungen.
Klima- u. Export-Klassifikationen von CY62147G30-45ZSXAT
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3 konform |
| Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REICHWEITE Status | ERREICHEN Sie unberührtes |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
