Oberflächenberg IGBT 600V 15A 56W DPAK IC STGD6NC60HDT4 PowerMESH
Produktdetails:
Herkunftsort: | ursprünglich |
Markenname: | original |
Zertifizierung: | original |
Modellnummer: | STGD6NC60HDT4 |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 1 |
---|---|
Preis: | negotiation |
Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
Lieferzeit: | Tage 1-3working |
Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
Detailinformationen |
|||
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): | 600 V | Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): | 15 A |
---|---|---|---|
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm): | 21 A | Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: | 2.5V @ 15V, 3A |
Macht- maximales: | 56 W | Zugeschaltete Energie: | 20µJ (an), 68µJ (weg) |
Eingegebene Art: | Standard | Tor-Gebühr: | nC 13,6 |
Markieren: | DPAK IC STGD6NC60HDT4,IGBT 600V 15A 56W DPAK IC,600V 15A 56W DPAK IC |
Produkt-Beschreibung
Gegenwärtige Widerstände Igbt 600v 15a 56w Dpak der Richtungs-STGD6NC60HDT4
Oberflächenberg DPAK IGBT 600 V 15 A 56 W
Spezifikationen von STGD6NC60HDT4
ART | BESCHREIBUNG |
Kategorie | Getrennte Halbleiter-Produkte |
Transistoren | |
IGBTs | |
Einzelnes IGBTs | |
Mfr | STMicroelectronics |
Reihe | PowerMESH™ |
Paket | Band u. Spule (TR) |
Schneiden Sie Band (CT) | |
Digi-Reel® | |
Produkt-Status | Aktiv |
IGBT-Art | - |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 600 V |
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 15 A |
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) | 21 A |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC | 2.5V @ 15V, 3A |
Macht- maximales | 56 W |
Zugeschaltete Energie | 20µJ (an), 68µJ (weg) |
Eingegebene Art | Standard |
Tor-Gebühr | nC 13,6 |
TD (AN/AUS) @ 25°C | 12ns/76ns |
Testbedingung | 390V, 3A, 10Ohm, 15V |
Rückgenesungszeit (trr) | 21 ns |
Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63 |
Lieferanten-Gerät-Paket | DPAK |
Niedrige Produkt-Zahl | STGD6 |
Eigenschaften von STGD6NC60HDT4
■Niedrig auf Spannungsabfall (Vcesat)
■Niedriges CRES-/CIES-Verhältnis (keine Querleitungsanfälligkeit)
■Anti-parallele Diode der sehr weichen ultraschnellen Wiederaufnahme
■Hochfrequenzoperation
Anwendungen von STGD6NC60HDT4
■Hochfrequenzinverter
■SMPS und PFC im harten Schalter und
Resonanztopologien
■Lokführer
Klima- u. Export-Klassifikationen von STGD6NC60HDT4
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
RoHS-Status | ROHS3 konform |
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
REICHWEITE Status | ERREICHEN Sie unberührtes |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?