• Oberflächenberg IGBT 600V 15A 56W DPAK IC STGD6NC60HDT4 PowerMESH
Oberflächenberg IGBT 600V 15A 56W DPAK IC STGD6NC60HDT4 PowerMESH

Oberflächenberg IGBT 600V 15A 56W DPAK IC STGD6NC60HDT4 PowerMESH

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: STGD6NC60HDT4

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Kartonkasten
Lieferzeit: Tage 1-3working
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100.000
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Detailinformationen

Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 600 V Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 15 A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm): 21 A Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: 2.5V @ 15V, 3A
Macht- maximales: 56 W Zugeschaltete Energie: 20µJ (an), 68µJ (weg)
Eingegebene Art: Standard Tor-Gebühr: nC 13,6
Markieren:

DPAK IC STGD6NC60HDT4

,

IGBT 600V 15A 56W DPAK IC

,

600V 15A 56W DPAK IC

Produkt-Beschreibung

Gegenwärtige Widerstände Igbt 600v 15a 56w Dpak der Richtungs-STGD6NC60HDT4
 
Oberflächenberg DPAK IGBT 600 V 15 A 56 W

 

Spezifikationen von STGD6NC60HDT4

 

ART BESCHREIBUNG
Kategorie Getrennte Halbleiter-Produkte
Transistoren
IGBTs
Einzelnes IGBTs
Mfr STMicroelectronics
Reihe PowerMESH™
Paket Band u. Spule (TR)
Schneiden Sie Band (CT)
Digi-Reel®
Produkt-Status Aktiv
IGBT-Art -
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) 600 V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) 15 A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm) 21 A
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 2.5V @ 15V, 3A
Macht- maximales 56 W
Zugeschaltete Energie 20µJ (an), 68µJ (weg)
Eingegebene Art Standard
Tor-Gebühr nC 13,6
TD (AN/AUS) @ 25°C 12ns/76ns
Testbedingung 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Rückgenesungszeit (trr) 21 ns
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Paket/Fall TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63
Lieferanten-Gerät-Paket DPAK
Niedrige Produkt-Zahl STGD6

 

Eigenschaften von STGD6NC60HDT4

 

Niedrig auf Spannungsabfall (Vcesat)
■Niedriges CRES-/CIES-Verhältnis (keine Querleitungsanfälligkeit)
■Anti-parallele Diode der sehr weichen ultraschnellen Wiederaufnahme
■Hochfrequenzoperation
 

Anwendungen von STGD6NC60HDT4

 

Hochfrequenzinverter
■SMPS und PFC im harten Schalter und
Resonanztopologien
■Lokführer

 

Klima- u. Export-Klassifikationen von STGD6NC60HDT4

 

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3 konform
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) 1 (unbegrenzt)
REICHWEITE Status ERREICHEN Sie unberührtes
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Oberflächenberg IGBT 600V 15A 56W DPAK IC STGD6NC60HDT4 PowerMESH 0
 

 

 

 

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