MSP430FR5869IRGZR CPUXV2 FRAM Mikrocontroller IC 16-Bit 16MHz 64KB FRAM 48-VQFN
Produktdetails:
Herkunftsort: | Original |
Markenname: | original |
Zertifizierung: | original |
Modellnummer: | MSP430FR5869IRGZR |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 1 |
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Preis: | negotiation |
Verpackung Informationen: | Karton |
Lieferzeit: | 3-5 Tage |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 |
Detailinformationen |
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Kern-Prozessor: | MSP430 CPUXV2 | Kerngröße: | 16-Bit |
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Geschwindigkeit: | 16MHz | Verbindungsfähigkeit: | I-² C, IrDA, SCI, SPI, UART/USART |
Peripheriegeräte: | Bräunlich ausgerichtete Erkennung/Wiederherstellung, DMA, POR, PWM, WDT | Anzahl der E/Ausgänge: | 40 |
Programmspeichergröße: | 64KB (64K x 8) | Programmspeichertypen: | FRAM |
Produkt-Beschreibung
MSP430FR5869IRGZR CPUXV2 FRAM Mikrocontroller IC 16-Bit 16MHz 64KB FRAM 48-VQFN
SpezifikationenMSP430FR5869IRGZR
TYPE | Beschreibung |
Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
Eingebettet | |
Mikrocontroller | |
Mfr | Texas Instruments |
Reihe | Für die Verwendung in Kraftfahrzeugen |
Paket | Band und Rolle (TR) |
Schnittband (CT) | |
Produktstatus | Aktiv |
DigiKey Programmierbar | Überprüft |
Kernprozessor | MSP430 CPUXV2 |
Kerngröße | 16 Bit |
Geschwindigkeit | 16 MHz |
Verbindungsfähigkeit | I2C, IrDA, SCI, SPI, UART/USART |
Peripheriegeräte | Bräunlich ausgerichtete Erkennung/Wiederherstellung, DMA, POR, PWM, WDT |
Anzahl der E/Ausgänge | 40 |
Programmspeichergröße | 64KB (64K x 8) |
Programmspeichertypen | FRAM |
EEPROM-Größe | - |
RAM-Größe | 2K x 8 |
Spannung - Versorgung (Vcc/Vdd) | 1.8V ~ 3.6V |
Datenumwandler | A/D 16x12b |
Typ des Schwingers | Inneres |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 48-VFQFN Exposed Pad |
Lieferanten-Gerätepaket | 48-VQFN (7x7) |
Basisproduktnummer | für die Verwendung in Kraftfahrzeugen |
Merkmale derMSP430FR5869IRGZR
• Eingebetteter Mikrocontroller
- 16-Bit-RISC-Architektur bis zu 16 MHz Clock
Weite Versorgungsspannungsbreite von 3,6 V bis 1,8 V (Mindestversorgungsspannung ist durch SVS-Niveaus begrenzt, siehe SVS-Spezifikationen)
• Optimierte Modelle mit sehr geringer Leistung
Aktivmodus: ca. 100 μA/MHz
Standby (LPM3 mit VLO): 0,4 μA (typisch)
¢ Echtzeituhr (LPM3.5): 0,25 μA (typisch) (1)
Ausgeschaltet (LPM4.5): 0,02 μA (typisch)
• Ultra-Low-Power Ferroelektrische RAM (FRAM)
Bis zu 64 KB nichtflüchtiger Speicher
Schrift mit sehr geringer Leistung
Schnell schreiben mit 125 ns pro Wort (64KB in 4 ms)
Einheitlicher Speicher = Programm + Daten + Speicher in einem einzigen Raum
Schreiben Sie Zyklus-Ausdauer
- Strahlungsbeständig und nichtmagnetisch
AnwendungenMSP430FR5869IRGZR
• Messung
• Energiegewinnungssensorknoten
• Wearable-Elektronik
• Sensormanagement
• Datenprotokollierung
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonMSP430FR5869IRGZR
ZEITEN | Beschreibung |
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
REACH-Status | REACH unberührt |
ECCN | 5A992C |
HTSUS | 8542.31.0001 |