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Gegenwärtige Widerstände Tle9871qxa20xuma1 TLE9871QXA20XUMA1-ND der Richtungs-SP001119760
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | SP001119760 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Mfr: | Infineon Technologies | Reihe: | Automobil, AEC-Q100 |
|---|---|---|---|
| Paket: | Band u. Spule (TR) | Produkt-Status: | Veraltet |
| Digi-Schlüssel programmierbar: | Nicht überprüft | Anwendungen: | Automobil |
| Kern-Prozessor: | ARM® Cortex®-M3 | Programm-Gedächtnis-Art: | BLITZ (36kB) |
Produkt-Beschreibung
Gegenwärtige Widerstände Tle9871qxa20xuma1 TLE9871QXA20XUMA1-ND der Richtungs-SP001119760
IC-LOKFÜHRER 48VQFN
Spezifikationen von SP001119760
| ART | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
| Eingebettet | |
| Anwendungsspezifische Mikroregler | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Reihe | Automobil, AEC-Q100 |
| Paket | Band u. Spule (TR) |
| Produkt-Status | Veraltet |
| Digi-Schlüssel programmierbar | Nicht überprüft |
| Anwendungen | Automobil |
| Kern-Prozessor | ARM® Cortex®-M3 |
| Programm-Gedächtnis-Art | BLITZ (36kB) |
| Kontrolleur Series | - |
| RAM Size | 3K x 8 |
| Schnittstelle | SSI, UART |
| Zahl von Input/Output | 10 |
| Spannung - Versorgung | 5.5V | 28V |
| Betriebstemperatur | -40°C | 150°C |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Paket/Fall | 48-VFQFN stellte Auflage heraus |
| Lieferanten-Gerät-Paket | PG-VQFN-48-29 |
| Niedrige Produkt-Zahl | TLE9871 |
Eigenschaften von SP001119760
• Behandelt alle Systemspeicher und ihre Interaktion mit der CPU
• Speicherschutzfunktionen für alle Systemspeicher (D-Blitz, P-Blitz, RAM)
• Adreßmanagement mit Zugriffsfehlerentdeckung einschließlich den Bericht
• Lineare Adreßstrecke für alle Gedächtnisse (keine Paginierung)
Anwendungen von SP001119760
• NVM-Gedächtnismodul (eingebetteter Flash-Speicher)
• RAM-Gedächtnismodul
• BootROMgedächtnismodul
• Modul der Speicherschutz-Einheit (MPU)
• Zusatzbrücke PBA0
Klima- u. Export-Klassifikationen von SP001119760
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3 konform |
| Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| REICHWEITE Status | ERREICHEN Sie unberührtes |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.31.0001 |
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