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CSD17576Q5B N-Kanal 30 V 100A (Ta) 3.1W (Ta) 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Original |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | CSD17576Q5B |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 1-3 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100,000 |
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Detailinformationen |
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| Abflussspannung zur Quelle (Vdss): | 30 V | Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: | 100A (Ta) |
|---|---|---|---|
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 250µA | Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 68 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal): | ± 20V | Verlustleistung (maximal): | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| Markieren: | CSD17576Q5B N-Kanal-IC-Chips,100A CSD17576Q5B N-Kanal-IC-Chips,3.1W CSD17576Q5B N-Kanal-IC-Chips |
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Produkt-Beschreibung
CSD17576Q5B N-Kanal 30 V 100 A (Ta) 3,1 W (Ta), 125 W (Tc) -55 °C bis 150 °C (TJ)
Spezifikationen Die in Artikel 4 Absatz 1 Buchstabe b genannten Risikopositionen werden nicht berücksichtigt.
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistoren | |
| FETs, MOSFETs | |
| Einzelne FET, MOSFET | |
| Mfr | Texas Instruments |
| Reihe | NexFETTM |
| Paket | Band und Rolle (TR) |
| Schnittband (CT) | |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 30 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250μA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal) | ± 20V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4430 pF @ 15 V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55 °C bis 150 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Lieferanten-Gerätepaket | Einheit für die Erfassung von Daten über die Nutzung der Daten |
| Packung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Basisproduktnummer | Die in Artikel 4 Absatz 1 Buchstabe b genannten Risikopositionen werden nicht berücksichtigt. |
Merkmale derDie in Artikel 4 Absatz 1 Buchstabe b genannten Risikopositionen werden nicht berücksichtigt.
• Niedriges Qg und Qgd
• Niedriges RDS (eingeschaltet)
• Niedrige Wärmebeständigkeit
• Lawinenabschnitte
• Pb-freie Endplattierung
• RoHS-konform
• Halogenfrei
• SON 5-mm × 6-mm Kunststoffverpackung
Einführung vonDie in Artikel 4 Absatz 1 Buchstabe b genannten Risikopositionen werden nicht berücksichtigt.
• Synchroner Buck-Wandler für Netzwerk-, Telekommunikations- und Computersysteme
• Optimiert für synchrone FET-Anwendungen
