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IPD80R900P7ATMA1 elektronisches IC bricht MOSFET IC N CH 800V 6A TO252-3 ab
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | IPD80R900P7ATMA1 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: | 350 PF @ 500 V | Fet-Eigenschaft: | - |
|---|---|---|---|
| Verlustleistung (maximal): | 45W (Tc) | Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art: | Oberflächenberg | Lieferanten-Gerät-Paket: | PG-TO252-3 |
| Paket/Fall: | TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63 | Niedrige Produkt-Zahl: | IPD80R900 |
| Markieren: | IPD80R900P7ATMA1,MOSFET IC N CH 800V 6A,MOSFET IC 800V 6A TO252-3 |
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Produkt-Beschreibung
DRAHTLOSER MODUL MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 RF-IPD60N10S4L-12
Drahtloser Modul Mosfet N-Ch 800v 6a To252-3 Rf-Ipd80r900p7atma1
Berg PG-TO252-3 des N-Kanal-800 V 6A (Tc) der Oberflächen-45W (Tc)
Spezifikationen von IPD80R900P7ATMA1
| ART | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Getrennte Halbleiter-Produkte |
| Transistoren | |
| FETs, MOSFETs | |
| Einzelne FETs, MOSFETs | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Reihe | CoolMOS™ P7 |
| Paket | Band u. Spule (TR) |
| Schneiden Sie Band (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Produkt-Status | Aktiv |
| Fet-Art | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) | 800 V |
| Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation | 3.5V @ 110µA |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal) | ±20V |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds | 350 PF @ 500 V |
| Fet-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (maximal) | 45W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Lieferanten-Gerät-Paket | PG-TO252-3 |
| Paket/Fall | TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63 |
| Niedrige Produkt-Zahl | IPD80R900 |
Eigenschaften von IPD80R900P7ATMA1
•Beste classFOMRDS (an) in den *Eoss; reducedQg, Ciss, andCoss
•Beste in classDPAKRDS (an)
•Beste in classV (GS) thof3VandsmallestV (GS) thvariationof±0.5V
•IntegratedZenerDiodeESDprotection
•Fullyoptimizedportfolio
Anwendungen von IPD80R900P7ATMA1
•Beste in classperformance
•Enablinghigherpowerdensitydesigns, BOMsavingsandlower-assemblycosts
•Easytodriveandtoparallel
•BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures
•Lessproductionissuesandreducedfieldreturns
•Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns
Klima- u. Export-Klassifikationen von IPD80R900P7ATMA1
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3 konform |
| Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| REICHWEITE Status | ERREICHEN Sie unberührtes |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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