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TK100L60W N-Kanal 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) durch Loch TO-3P ((L))
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Original |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | TK100L60W |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 1-3 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100,000 |
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Detailinformationen |
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| FET-Typ: | N-Kanal | Technologie: | MOSFET (Metalloxid) |
|---|---|---|---|
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss): | 600 V | Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: | 100A (Ta) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): | 10 V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 18mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 5mA | Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 360 nC @ 10 V |
Produkt-Beschreibung
TK100L60W N-Kanal 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) durch Loch TO-3P ((L))
Spezifikationen TK100L60W
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistoren | |
| FETs, MOSFETs | |
| Einzelne FET, MOSFET | |
| Mfr | Toshiba Halbleiter und Speicher |
| Reihe | DTMOSIV |
| Paket | Schlauch |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 600 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal) | ± 30 V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 30 V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 797W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Typ der Montage | Durchs Loch |
| Lieferanten-Gerätepaket | Die Angabe des Zulassungsdatums ist in der Angabe des Zulassungsdatums zu finden. |
| Packung / Gehäuse | TO-3PL |
| Basisproduktnummer | TK100L60 |
Merkmale der TK100L60W
(1) Niedriges Abflussquellen-Aufwiderstand: RDS ((ON) = 0,015 Ω (typisch) durch verwendet, um Super Junction Struktur: DTMOS
(2) Einfache Steuerung des Torwechsels
(3) Verstärkungsmodus: Vth = 2,7 bis 3,7 V (VDS = 10 V, ID = 5 mA)
Anwendungen TK100L60W
Wechselspannungsregler
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonTK100L60W
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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