• SI4825DDY-T1-GE3 P-Kanal 30 V 14.9A 2.7W 5W (Tc) Oberflächenbefestigung 8-SOIC
SI4825DDY-T1-GE3 P-Kanal 30 V 14.9A 2.7W 5W (Tc) Oberflächenbefestigung 8-SOIC

SI4825DDY-T1-GE3 P-Kanal 30 V 14.9A 2.7W 5W (Tc) Oberflächenbefestigung 8-SOIC

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: SI4825DDY-T1-GE3

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Detailinformationen

FET-Typ: P-Kanal Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 30 V Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 86 nC @ 10 V

Produkt-Beschreibung

SI4825DDY-T1-GE3 P-Kanal 30 V 14.9A 2.7W 5W (Tc) Oberflächenbefestigung 8-SOIC
 
Spezifikationen Siehe Anhang I Abschnitt 2 der Verordnung (EG) Nr. 396/2005

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  FETs, MOSFETs
  Einzelne FET, MOSFET
Mfr Vishay Siliconix
Reihe TrenchFET®
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 30 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 14.9A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ± 25V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2550 pF @ 15 V
FET-Eigenschaft -
Leistungsausfall (maximal) 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Packung / Gehäuse 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Basisproduktnummer SI4825

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonSiehe Anhang I Abschnitt 2 der Verordnung (EG) Nr. 396/2005

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 


 

 

 

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