• MSA1162GT1G Bipolarer (BJT) Transistor PNP 50 V 100 mA 80 MHz 200 mW SC-59
MSA1162GT1G Bipolarer (BJT) Transistor PNP 50 V 100 mA 80 MHz 200 mW SC-59

MSA1162GT1G Bipolarer (BJT) Transistor PNP 50 V 100 mA 80 MHz 200 mW SC-59

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: MSA1162GT1G

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 1-3 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100,000
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Detailinformationen

Transistortyp: PNP Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 100 MA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 50 V Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: 500mV @ 10mA, 100mA
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max.: 200 mW Frequenz - Übergang: 80MHz

Produkt-Beschreibung

MSA1162GT1G Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59
 
Spezifikationen MSA1162GT1G

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  Bipolar (BJT)
  Einzelbipolare Transistoren
Mfr Ein- und zweimal
Reihe -
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
Transistortyp PNP
Strom - Kollektor (Ic) (maximal) 100 mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal) 50 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Strom - Sammlergrenze (maximal) 100nA
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max. 200 mW
Häufigkeit - Übergang 80 MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Lieferanten-Gerätepaket SC-59
Basisproduktnummer MSA1162

 

Merkmale der MSA1162GT1G


• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: 1
• Dies ist ein Pb-freies Gerät

 

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonMSA1162GT1G
 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 
MSA1162GT1G Bipolarer (BJT) Transistor PNP 50 V 100 mA 80 MHz 200 mW SC-59 0


 

 

 

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