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IS42S16800F-6TL SDRAM Speicher IC 128Mbit Parallel 166 MHz 5,4 ns 54-TSOP II
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Original |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | IS42S16800F-6TL |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 1-3 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100,000 |
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Detailinformationen |
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| Paket: | Tray | Speichertypen: | Flüchtig |
|---|---|---|---|
| Speicherformat: | DRAM | Speichergröße: | 128Mbit |
| Gedächtnisorganisation: | 8M x 16 | Speicheroberfläche: | Parallel |
| Uhrfrequenz: | 166 MHz | ||
Produkt-Beschreibung
IS42S16800F-6TL SDRAM Speicher IC 128Mbit Parallel 166 MHz 5,4 ns 54-TSOP II
Spezifikationen IS42S16800F-6TL
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
| Gedächtnis | |
| Gedächtnis | |
| Mfr | ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc. |
| Reihe | - |
| Paket | Tray |
| Speichertypen | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Speichergröße | 128 Mbit |
| Gedächtnisorganisation | 8M x 16 |
| Speicheroberfläche | Parallel |
| Uhrfrequenz | 166 MHz |
| Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 5.4 ns |
| Spannung - Versorgung | 3V bis 3,6V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 54-TSOP II |
| Basisproduktnummer | IS42S16800 |
Eigenschaften des IS42S16800F-6TL
• Uhrfrequenz: 200, 166, 143 MHz
• Voll synchron; alle Signale sind auf eine positive Uhrzeile verwiesen
• Innenbank für den Zugang zur Versteckreihe/Vorladung
• Stromversorgung Vdd Vddq
- IS42/45S81600F 3,3 V 3,3 V
- IS42/45S16800F 3,3 V 3,3 V
• LVTTL-Schnittstelle
• Programmierbare Ausbruchlänge
️ (1, 2, 4, 8, vollständige Seite)
• Programmierbare Ausbruchssequenz: Sequential/Interleave
• Automatische Aktualisierung (CBR)
• Erfrische dich selbst
• 4096 Aktualisierungszyklen alle 16 ms (A2-Klasse) oder 64 ms (Handels-, Industrie-, A1-Klasse)
• Zufällige Spaltenadresse für jeden Uhrzyklus
• Programmierbare CAS-Latenzzeit (2, 3 Stunden)
• Fähigkeit zur Lese-/Schreib- und Lese-/Einschreibfunktion
• Burst-Endung durch Burst-Stop- und Vorladekommando
• Temperaturbereiche:
- Gewerblich (0 °C bis + 70 °C)
- Industrie (-40 °C bis + 85 °C)
-Automotive, A1 (-40°C bis +85°C)
-Automotive, A2 (-40 °C bis +105 °C)
Beschreibung derIS42S16800F-6TL
Der 128 Mb SDRAM ist ein hoengeschwindiges CMOS-Speicher mit dynamischem Zufallszugriff, der für den Betrieb in 3,3-Volt-Vdd- und 3,3-Volt-Vddq-Speichersystemen mit 134217728 Bits.
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonIS42S16800F-6TL
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0002 |
