Speicherchip OPAMP TLV9152QDGKRQ1 EMMC STROMKREIS 8VSSOP GP 2
Produktdetails:
Herkunftsort: | ursprünglich |
Markenname: | original |
Zertifizierung: | original |
Modellnummer: | TLV9152QDGKRQ1 |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 1 |
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Preis: | negotiation |
Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
Lieferzeit: | Tage 1-3working |
Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
Detailinformationen |
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Produkt-Status: | Aktiv | Verstärker-Art: | Universeller Zweck |
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Zahl von Stromkreisen: | 2 | Ertrag-Art: | Schiene-zu-Schiene |
Anstiegsgeschwindigkeit: | 20V/µs | Gewinn-Bandbreiten-Produkt: | 4,5 MHZ |
Gegenwärtig - eingegebene Neigung: | PA 10 | Spannung - eingegebener Ausgleich: | µV 125 |
Markieren: | TLV9152QDGKRQ1,STROMKREIS 8VSSOP OPAMP GP 2,Speicherchip 8VSSOP EMMC |
Produkt-Beschreibung
TLV9152QDGKRQ1 Emmc-Speicherchip Ic Opamp Gp 2 Circuit 8vssop
Allzweckverstärker 2-Schaltkreis Rail-to-Rail 8-VSSOP
Spezifikationen vonTLV9152QDGKRQ1
TYP | BESCHREIBUNG |
Kategorie | Integrierte Schaltkreise (ICs) |
Linear | |
Verstärker | |
Instrumentierung, OP-Verstärker, Pufferverstärker | |
Hersteller | Texas Instruments |
Serie | Automobil, AEC-Q100 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Schnittband (CT) | |
Digi-Reel® | |
Produktstatus | Aktiv |
Verstärkertyp | Allgemeiner Zweck |
Anzahl der Stromkreise | 2 |
Ausgabetyp | Rail-to-Rail |
Anstiegsgeschwindigkeit | 20V/µs |
Bandbreitenprodukt gewinnen | 4,5 MHz |
Strom – Eingangsvorspannung | 10 pA |
Spannung – Eingangsoffset | 125 µV |
Strom - Versorgung | 560 µA (x2 Kanäle) |
Strom – Ausgang/Kanal | 75mA |
Spannung – Versorgungsspanne (min.) | 2,7 V |
Spannung – Versorgungsspanne (max.) | 16 V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Oberflächenmontage |
Paket/Koffer | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm Breite) |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-VSSOP |
MerkmaleTLV9152QDGKRQ1
• AEC-Q100-qualifiziert für Automobilanwendungen
– Temperaturklasse 1: –40°C bis +125°C, TA
– Gerät HBM ESD-Klassifizierungsstufe 3A
– Geräte-CDM-ESD-Klassifizierungsstufe C6
• Niedrige Offsetspannung: ±125 µV
• Geringe Offsetspannungsdrift: ±0,3 µV/°C
• Geringes Rauschen: 10,8 nV/√Hz bei 1 kHz
• Hohe Gleichtaktunterdrückung: 120 dB
• Niedriger Ruhestrom: ±10 pA
• Rail-to-Rail Ein- und Ausgang
• Große Bandbreite: 4,5 MHz GBW
• Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 21 V/µs
• Niedriger Ruhestrom: 560 µA pro Verstärker
• Breite Versorgung: ±1,35 V bis ±8 V, 2,7 V bis 16 V
• Robuste EMIRR-Leistung: EMI/RFI-Filter an den Eingangspins
Anwendungen vonTLV9152QDGKRQ1
• Optimiert für AEC-Q100 Klasse 1-Anwendungen
• Infotainment und Cluster
• Passive Sicherheit
• Karosserieelektronik und Beleuchtung
• HEV/EV-Wechselrichter und Motorsteuerung
• Integriertes (OBC) und kabelloses Ladegerät
• Stromsensor für den Antriebsstrang
• Fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS)
• High-Side- und Low-Side-Strommessung
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonTLV9152QDGKRQ1
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
RoHS-Status | Unzutreffend |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unbegrenzt) |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.33.0001 |

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