• Speicherchip OPAMP TLV9152QDGKRQ1 EMMC STROMKREIS 8VSSOP GP 2
Speicherchip OPAMP TLV9152QDGKRQ1 EMMC STROMKREIS 8VSSOP GP 2

Speicherchip OPAMP TLV9152QDGKRQ1 EMMC STROMKREIS 8VSSOP GP 2

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: TLV9152QDGKRQ1

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Kartonkasten
Lieferzeit: Tage 1-3working
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100.000
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Detailinformationen

Produkt-Status: Aktiv Verstärker-Art: Universeller Zweck
Zahl von Stromkreisen: 2 Ertrag-Art: Schiene-zu-Schiene
Anstiegsgeschwindigkeit: 20V/µs Gewinn-Bandbreiten-Produkt: 4,5 MHZ
Gegenwärtig - eingegebene Neigung: PA 10 Spannung - eingegebener Ausgleich: µV 125
Markieren:

TLV9152QDGKRQ1

,

STROMKREIS 8VSSOP OPAMP GP 2

,

Speicherchip 8VSSOP EMMC

Produkt-Beschreibung

TLV9152QDGKRQ1 Emmc-Speicherchip Ic Opamp Gp 2 Circuit 8vssop
 
Allzweckverstärker 2-Schaltkreis Rail-to-Rail 8-VSSOP

 

Spezifikationen vonTLV9152QDGKRQ1

 

TYP BESCHREIBUNG
Kategorie Integrierte Schaltkreise (ICs)
Linear
Verstärker
Instrumentierung, OP-Verstärker, Pufferverstärker
Hersteller Texas Instruments
Serie Automobil, AEC-Q100
Paket Tape & Reel (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Produktstatus Aktiv
Verstärkertyp Allgemeiner Zweck
Anzahl der Stromkreise 2
Ausgabetyp Rail-to-Rail
Anstiegsgeschwindigkeit 20V/µs
Bandbreitenprodukt gewinnen 4,5 MHz
Strom – Eingangsvorspannung 10 pA
Spannung – Eingangsoffset 125 µV
Strom - Versorgung 560 µA (x2 Kanäle)
Strom – Ausgang/Kanal 75mA
Spannung – Versorgungsspanne (min.) 2,7 V
Spannung – Versorgungsspanne (max.) 16 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart Oberflächenmontage
Paket/Koffer 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 8-VSSOP

 

MerkmaleTLV9152QDGKRQ1

 

• AEC-Q100-qualifiziert für Automobilanwendungen
– Temperaturklasse 1: –40°C bis +125°C, TA
– Gerät HBM ESD-Klassifizierungsstufe 3A
– Geräte-CDM-ESD-Klassifizierungsstufe C6
• Niedrige Offsetspannung: ±125 µV
• Geringe Offsetspannungsdrift: ±0,3 µV/°C
• Geringes Rauschen: 10,8 nV/√Hz bei 1 kHz
• Hohe Gleichtaktunterdrückung: 120 dB
• Niedriger Ruhestrom: ±10 pA
• Rail-to-Rail Ein- und Ausgang
• Große Bandbreite: 4,5 MHz GBW
• Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 21 V/µs
• Niedriger Ruhestrom: 560 µA pro Verstärker
• Breite Versorgung: ±1,35 V bis ±8 V, 2,7 V bis 16 V
• Robuste EMIRR-Leistung: EMI/RFI-Filter an den Eingangspins
 

Anwendungen vonTLV9152QDGKRQ1

 

• Optimiert für AEC-Q100 Klasse 1-Anwendungen
• Infotainment und Cluster
• Passive Sicherheit
• Karosserieelektronik und Beleuchtung
• HEV/EV-Wechselrichter und Motorsteuerung
• Integriertes (OBC) und kabelloses Ladegerät
• Stromsensor für den Antriebsstrang
• Fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS)
• High-Side- und Low-Side-Strommessung

 

Umwelt- und Exportklassifizierungen vonTLV9152QDGKRQ1

 

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status Unzutreffend
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unbegrenzt)
ECCN EAR99
HTSUS 8542.33.0001

Speicherchip OPAMP TLV9152QDGKRQ1 EMMC STROMKREIS 8VSSOP GP 2 0

 

 

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