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FM25L04B-GATR FRAM (Ferroelektrische RAM) Speicher-IC 4Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Original |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 1-3 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100,000 |
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Detailinformationen |
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| Speicherformat: | FRAM | Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
|---|---|---|---|
| Speichergröße: | 4 Kbit | Gedächtnisorganisation: | 512 x 8 |
| Speicheroberfläche: | SPI | Uhrfrequenz: | 10 MHz |
| Spannung - Versorgung: | 3V bis 3,6V | Betriebstemperatur: | -40 °C bis 125 °C (TA) |
Produkt-Beschreibung
FM25L04B-GATR FRAM (Ferroelektrische RAM) Speicher-IC 4Kbit SPI 10 MHz 8-SOIC
Spezifikationen Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
| Gedächtnis | |
| Gedächtnis | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Reihe | Fahrzeugtechnik, AEC-Q100, F-RAMTM |
| Paket | Band und Rolle (TR) |
| Speichertypen | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelektrische RAM) |
| Speichergröße | 4 Kbit |
| Gedächtnisorganisation | 512 x 8 |
| Speicheroberfläche | SPI |
| Uhrfrequenz | 10 MHz |
| Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Spannung - Versorgung | 3V bis 3,6V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 125 °C (TA) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOIC |
| Basisproduktnummer | Die Nummer des Zertifikats ist: |
Merkmale der Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
■ 4-Kbit-ferroelektrischer Zufallsspeicher (F-RAM) logisch als 512 × 8 organisiert
- Datenspeicherung für 121 Jahre (siehe Tabelle Datenspeicherung und Dauerdauer)
NoDelayTM schreibt
¢ Ferroelektrische Verfahren mit hoher Zuverlässigkeit
■ Sehr schnelle serielle Peripherieoberfläche (SPI)
Frequenz bis zu 10 MHz
- Direktes Hardwareersatz für serielle Flash- und EEPROM-Systeme
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
■ Ein anspruchsvolles Schreibschutzsystem
- Hardware-Schutz mit dem Schreibschutz-Pin (WP)
- Software-Schutz unter Verwendung der Anweisung Schreiben deaktivieren
- Software-Block-Schutz für 1/4, 1/2 oder ganze Array
■ Niedriger Stromverbrauch
Aktiver Strom bei 1 MHz
6 A (typischer) Standby-Strom bei +85 C
■ Niederspannungsbetrieb: VDD = 3,0 V bis 3,6 V
■ Fahrzeug-E-Temperatur: ¥40 ¥C bis +125 ¥C
■ 8-Pin-Package für kleine integrierte Schaltkreise (SOIC)
■ AEC Q100-Klasse 1
■ Einschränkung gefährlicher Stoffe (RoHS)
Anwendungen Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Der FM25L04B ist ein 4-Kbit-nichtflüchtiger Speicher, der einen fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess verwendet.Es bietet eine zuverlässige Aufbewahrung der Daten für 121 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, Overhead- und Systemsicherheitsprobleme, die durch serielle Flash-, EEPROM- und andere nichtflüchtige Speicher verursacht werden.
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonDie in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
