• EDB1332BDBH-1DIT-F-R SDRAM Mobile LPDDR2 Speicher IC 1Gbit Parallel 533 MHz
EDB1332BDBH-1DIT-F-R SDRAM Mobile LPDDR2 Speicher IC 1Gbit Parallel 533 MHz

EDB1332BDBH-1DIT-F-R SDRAM Mobile LPDDR2 Speicher IC 1Gbit Parallel 533 MHz

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: Die Kommission wird die Kommission übermitteln, welche Maßnahmen sie ergreift.

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Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 1-3 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100,000
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Detailinformationen

Speichertypen: Flüchtig Technologie: SDRAM - mobile LPDDR2
Speichergröße: 1Gbit Gedächtnisorganisation: 32M x 32
Speicheroberfläche: Parallel Uhrfrequenz: 533 MHZ
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40 °C bis 85 °C (TC)

Produkt-Beschreibung

EDB1332BDBH-1DIT-F-R SDRAM Mobile LPDDR2 Speicher IC 1Gbit Parallel 533 MHz
 

Spezifikationen Die Kommission wird die Kommission übermitteln, welche Maßnahmen sie ergreift.

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Integrierte Schaltungen (IC)
  Gedächtnis
  Gedächtnis
Mfr Micron Technologie Inc.
Reihe -
Paket Band und Rolle (TR)
Speichertypen Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - mobile LPDDR2
Speichergröße 1 Gbit
Gedächtnisorganisation 32 M x 32
Speicheroberfläche Parallel
Uhrfrequenz 533 MHz
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite -
Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TC)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 134-VFBGA
Lieferanten-Gerätepaket Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt
Basisproduktnummer Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonDie Kommission wird die Kommission übermitteln, welche Maßnahmen sie ergreift.

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Stunden)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0032

 

 

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