• DTC143ZCAHZGT116 Bipolartransistor mit vorgebildeter Verzerrung 100 mA 250 MHz 350 mW
DTC143ZCAHZGT116 Bipolartransistor mit vorgebildeter Verzerrung 100 mA 250 MHz 350 mW

DTC143ZCAHZGT116 Bipolartransistor mit vorgebildeter Verzerrung 100 mA 250 MHz 350 mW

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: DTC143ZCAHZGT116

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 1-3 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100,000
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Detailinformationen

Transistortyp: PNP - Vorabverzerrt Frequenz - Übergang: 250 MHz
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 50V Widerstand - Basis (R1): 4,7 kOhm
Widerstand - Emitter-Basis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: 300mV @ 250μA, 5mA Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 100 MA

Produkt-Beschreibung

DTC143ZCAHZGT116 Bipolartransistor mit vorgebildeter Verzerrung 100 mA 250 MHz 350 mW
 
Spezifikationen DTC143ZCAHZGT116

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  Bipolar (BJT)
  Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistoren
Mfr Rohm Halbleiter
Reihe Automobilindustrie, AEC-Q101
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
Transistortyp NPN - Vorangestellt
Strom - Kollektor (Ic) (maximal) 100 mA
Widerstand - Basis (R1) 40,7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Strom - Sammlergrenze (maximal) -
Häufigkeit - Übergang 250 MHz
Leistung - Max. 350 mW
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Lieferanten-Gerätepaket SST3
Basisproduktnummer DTC143

 
Merkmale der DTC143ZCAHZGT116


1) Eingebaute Biasing-Widerstände
2) Eingebaute Biaswiderstände ermöglichen die Konfiguration eines Wechselrichterkreises ohne Anschluss externer Eingangswiderstände (siehe Innenkreis).
3) Die Verzerrungswiderstände bestehen aus Dünnschichtwiderständen mit vollständiger Isolierung, um eine negative Verzerrung des Eingangs zu ermöglichen.
4) Für den Betrieb müssen nur die Ein-/Aus-Bedingungen eingestellt werden, wodurch die Schaltung der Schaltung erleichtert wird.
5) Ergänzende PNP-Typen: DTA143ZCA HZG

 

 

 

 

Anwendungen DTC143ZCAHZGT116

 

Inverter, Schnittstelle, Treiber

 

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonDTC143ZCAHZGT116

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
DTC143ZCAHZGT116 Bipolartransistor mit vorgebildeter Verzerrung 100 mA 250 MHz 350 mW 0
 

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