• BSC900N20NS3G N-Kanal-MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Oberflächenhalter PG-TDSON-8-5
BSC900N20NS3G N-Kanal-MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Oberflächenhalter PG-TDSON-8-5

BSC900N20NS3G N-Kanal-MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Oberflächenhalter PG-TDSON-8-5

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: BSC900N20NS3G

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Detailinformationen

Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 200 V Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Vgs (maximal): ± 20V Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Markieren:

BSC900N20NS3G

,

BSC900N20NS3G N-Kanal-MOSFET-IC

Produkt-Beschreibung

BSC900N20NS3G N-Kanal 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Oberflächenhalter PG-TDSON-8-5

 

SpezifikationenBSC900N20NS3G

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  FETs, MOSFETs
  Einzelne FET, MOSFET
Mfr Infineon Technologies
Reihe OptiMOSTM
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 200 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 15.2A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 7,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 30μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 11.6 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 100 V
FET-Eigenschaft -
Leistungsausfall (maximal) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-5
Packung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Basisproduktnummer BSC900

 
Merkmale der BSC900N20NS3G


• Optimiert für die DC-DC-Umwandlung
• N-Kanal, Normalwert
• Ausgezeichnete Torgebühr x R DS (on) Produkt (FOM)
• Niedriger Aufstand R DS ((on)
• Betriebstemperatur 150 °C
• Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
• Qualifiziert nach JEDEC1) für die Ziel­anwendung
• Halogenfrei nach IEC 61249-2-21

 

 

Umwelt- und Exportklassifizierungen vonBSC900N20NS3G

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

BSC900N20NS3G N-Kanal-MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Oberflächenhalter PG-TDSON-8-5 0

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Ich bin daran interessiert BSC900N20NS3G N-Kanal-MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Oberflächenhalter PG-TDSON-8-5 Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
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