• 2SC5566-TD-E BJT IC Bipolartransistor NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W Oberflächenhalter PCP
2SC5566-TD-E BJT IC Bipolartransistor NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W Oberflächenhalter PCP

2SC5566-TD-E BJT IC Bipolartransistor NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W Oberflächenhalter PCP

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: 2SC5566-TD-E

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 1-3 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100,000
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Detailinformationen

Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 0.166666667 Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 50 V
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: 225mV @ 100mA, 2A Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): 1 μA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - Max.: 1,3 W
Frequenz - Übergang: 400 MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Markieren:

2SC5566-TD-E

,

2SC5566-TD-E BJT IC

,

BJT-Bipolartransistor

Produkt-Beschreibung

2SC5566-TD-E Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W Oberflächenhalter PCP

 

Spezifikationen 2SC5566-TD-E

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  Bipolar (BJT)
  Einzelbipolare Transistoren
Mfr Ein- und zweimal
Reihe -
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
Transistortyp NPN
Strom - Kollektor (Ic) (maximal) 0.166666667
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (max) 50 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 225mV @ 100mA, 2A
Strom - Sammlergrenze (maximal) 1 μA (ICBO)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Leistung - Max. 1.3 W
Häufigkeit - Übergang 400 MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse TO-243AA
Lieferanten-Gerätepaket PCP
Basisproduktnummer 2SC5566

 

Spezifikationen2SC5566-TD-E


• Einführung von FBET- und MBIT-Prozessen
• Große Stromkapazität
• Niedrige Sättigungsspannung zwischen Sammler und Emitter
• Hochgeschwindigkeitsschalter
• Ultrakleine Verpackung erleichtert die Miniaturisierung von Endprodukten
• Hohe zulässige Leistungsaufnahme

 

Merkmale der2SC5566-TD-E


• Relaisfahrer, Lampenfahrer, Motorfahrer, Blitz

 

 

 

Umwelt- und Exportklassifizierungen von2SC5566-TD-E

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 

 

2SC5566-TD-E BJT IC Bipolartransistor NPN 50 V 4 A 400MHz 1,3 W Oberflächenhalter PCP 0

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