• IPP320N20N3GXKSA N-Kanal MOSFET IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) durch Loch PG-TO220-3
IPP320N20N3GXKSA N-Kanal MOSFET IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) durch Loch PG-TO220-3

IPP320N20N3GXKSA N-Kanal MOSFET IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) durch Loch PG-TO220-3

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: IPP320N20N3GXKSA

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Verpackung Informationen: Karton
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Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100,000
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Detailinformationen

Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 200 V Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Vgs (maximal): ± 20V Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Markieren:

IPP320N20N3GXKSA

,

IPP320N20N3GXKSA MOSFET IC

,

N-Kanal-MOSFET-IC

Produkt-Beschreibung

IPP320N20N3GXKSA N-Kanal 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) durch Loch PG-TO220-3

 

Spezifikationen IPP320N20N3GXKSA

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  FETs, MOSFETs
  Einzelne FET, MOSFET
Mfr Infineon Technologies
Reihe OptiMOSTM
Paket Schlauch
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 200 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 100 V
FET-Eigenschaft -
Leistungsausfall (maximal) 136 W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Typ der Montage Durchs Loch
Lieferanten-Gerätepaket Der Begriff "Forschung" wird in Anhang II aufgeführt.
Packung / Gehäuse TO-220-3
Basisproduktnummer IPP320

 

SpezifikationenIPP320N20N3GXKSA


• N-Kanal, Normalwert
• Ausgezeichnete Torgebühr x R DS (on) Produkt (FOM)
• sehr geringer Ansprechwiderstand R DS (an)
• Betriebstemperatur 175 °C
• Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
• Qualifiziert nach JEDEC1) für die Ziel­anwendung
• Halogenfrei nach IEC 61249-2-21
• Ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Berichtigung

 

 

Umwelt- und Exportklassifizierungen vonIPP320N20N3GXKSA

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

IPP320N20N3GXKSA N-Kanal MOSFET IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) durch Loch PG-TO220-3 0

 

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Ich bin daran interessiert IPP320N20N3GXKSA N-Kanal MOSFET IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) durch Loch PG-TO220-3 Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
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