• M29W160EB70N3F FLASH - NOR Speicher IC 16Mbit Parallel 70 ns 48-TSOP
M29W160EB70N3F FLASH - NOR Speicher IC 16Mbit Parallel 70 ns 48-TSOP

M29W160EB70N3F FLASH - NOR Speicher IC 16Mbit Parallel 70 ns 48-TSOP

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: M29W160EB70N3F

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Verpackung Informationen: Karton
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Detailinformationen

Speicherformat: Flasch Technologie: FLASH - NICHT
Speichergröße: 16 Mbit Gedächtnisorganisation: 2M x 8, 1M x 16
Speicheroberfläche: Parallel Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: 70ns
Zugriffszeit: 70 ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V

Produkt-Beschreibung

M29W160EB70N3F FLASH - NOR Speicher IC 16Mbit Parallel 70 ns 48-TSOP


Spezifikationen M29W160EB70N3F

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Integrierte Schaltungen (IC)
  Gedächtnis
  Gedächtnis
Mfr Micron Technologie Inc.
Reihe -
Paket Band und Rolle (TR)
Speichertypen Nicht flüchtig
Speicherformat Flasch
Technologie FLASH - NICHT
Speichergröße 16 Mbit
Gedächtnisorganisation 2M x 8, 1M x 16
Speicheroberfläche Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite 70 ns
Zugriffszeit 70 ns
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 125 °C (TA)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)
Lieferanten-Gerätepaket 48-TSOP
Basisproduktnummer M29W160

 

 
Anwendungen
M29W160EB70N3F


Der M29W160ET/B (2Mb x8 oder 1Mb x16) ist ein nichtflüchtiges Gerät, das gelesen, gelöscht und neu programmiert werden kann.Beim Einschalten wird der Speicher standardmäßig in den Lese-Modus umgewandelt, in dem er wie ein ROM oder EPROM gelesen werden kann.



Umwelt undExportklassifizierungen von M29W160EB70N3F
 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Stunden)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0071

 
M29W160EB70N3F FLASH - NOR Speicher IC 16Mbit Parallel 70 ns 48-TSOP 0

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