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IS42S16320F-7TLI SRAM Synchroner SDR-Speicher IC 4,5 Mbit Parallel 117 MHSRAM
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | IS42S16320F-7TLI |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Speichergröße: | 4.5Mbit | Gedächtnisorganisation: | 128K x 36 |
|---|---|---|---|
| Speicheroberfläche: | Parallel | Basisproduktnummer: | IS64LF12836 |
| Uhrfrequenz: | 117 MHZ | Zugriffszeit: | 7,5 ns |
| Spannung - Versorgung: | 3.135V ~ 3.465V | Betriebstemperatur: | -40 °C bis 125 °C (TA) |
Produkt-Beschreibung
IS42S16320F-7TLI SRAM Synchroner SDR-Speicher IC 4,5 Mbit Parallel 117 MHSRAM
Spezifikationen IS64LF12836EC-7.5B3LA3
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
| Gedächtnis | |
| Gedächtnis | |
| Mfr | ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc. |
| Paket | Tray |
| Speichertypen | Flüchtig |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchron, SZR |
| Speichergröße | 4.5Mbit |
| Gedächtnisorganisation | 128K x 36 |
| Speicheroberfläche | Parallel |
| Uhrfrequenz | 117 MHz |
| Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 7.5 ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.465V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 125 °C (TA) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 165-TBGA |
| Lieferanten-Gerätepaket | 165-TFBGA (13x15) |
| Basisproduktnummer | IS64LF12836 |
Spezifikationen IS64LF12836EC-7.5B3LA3
* Interner Schreibzyklus mit eigenem Zeitplan
* Einzelne Byte-Schreibsteuerung und globale Schreibfunktion
* Uhrsteuerung, Anschrift, Daten und Steuerung
* Funktion der Blast-Sequenz-Steuerung unter Verwendung von MODE
* Drei Chip-Aktivierung Option für einfache Tiefe Erweiterung und Adresse Pipelining
* Gemeinsame Dateneingaben und -ausgänge
* Automatisches Herunterfahren während der Auswahl
* Auswählen eines einzelnen Zyklus
* Snooze-Modus für den Standby bei geringer Leistung
* JEDEC 100-Pin-QFP, 165-Ball-BGA und 119-Ball-BGA-Pakete
* Stromversorgung:
* LF: VDD 3,3 V (± 5%), VDDQ 3,3 V/2,5 V (± 5%)
* VF: VDD 2,5 V (± 5%), VDDQ 2,5 V (± 5%)
* JTAG Grenzscan für BGA-Pakete
* Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil
* Bleifrei verfügbar
* Fehlererkennung und Fehlerkorrektur
Anwendungen IS64LF12836EC-7.5B3LA3
Die 4-Mb-Produktfamilie verfügt über hochgeschwindige, leistungsarme synchrone statische RAMs, die für die Bereitstellung eines sprengbaren, leistungsstarken Speichers für Kommunikations- und Netzwerkanwendungen entwickelt wurden.
Umwelt undExportklassifizierungen von IS64LF12836EC-7.5B3LA3
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
