• M95640-DRDW3TP/K EEPROM-Speicher-IC Integrierter Schaltkreis-Chip 64Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
M95640-DRDW3TP/K EEPROM-Speicher-IC Integrierter Schaltkreis-Chip 64Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP

M95640-DRDW3TP/K EEPROM-Speicher-IC Integrierter Schaltkreis-Chip 64Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: M95640-DRDW3TP/K

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 3-5 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000
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Detailinformationen

Gedächtnisart: Nicht flüchtig Gedächtnis-Format: EEPROM
Technologie: EEPROM Speicherkapazität: 64 KB
Speicherorganisation: 8K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz: 20 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite: 4ms

Produkt-Beschreibung

M95640-DRDW3TP/K EEPROM-Speicher-IC Integrierter Schaltkreis-Chip 64Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
 
SpezifikationenM95640-DRDW3TP/K

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Integrierte Schaltungen (IC)
  Gedächtnis
  Gedächtnis
Mfr STMikroelektronik
Reihe Automobilindustrie, AEC-Q100
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
Produktstatus Aktiv
DigiKey Programmierbar Nicht bestätigt
Speichertypen Nicht flüchtig
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM
Speichergröße 64 Kbit
Gedächtnisorganisation 8K x 8
Speicheroberfläche SPI
Uhrfrequenz 20 MHz
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite 4 ms
Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40 °C bis 125 °C (TA)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSSOP
Basisproduktnummer M95640

 

 

Merkmale derM95640-DRDW3TP/K


• Kompatibel mit dem Serial Peripheral Interface (SPI) Bus
• Speicher-Array
- 64 Kbit (8 Kbyte) EEPROM
Seite Größe: 32 Bytes
Schreibschutz nach Block: 1/4, 1/2 oder ganzer Speicher
Zusätzliche Schreibverriegelbare Seite (Identifikationsseite)
• Erweiterte Temperatur- und Spannungsbereiche
Bis zu 125 °C (VCC von 1,7 V bis 5,5 V)
Bis zu 145 °C (VCC von 2,5 V bis 5,5 V)
• Hochgeschwindigkeitsuhrfrequenz
️ 20 MHz für VCC ≥ 4,5 V
️ 10 MHz für VCC ≥ 2,5 V
5 MHz für VCC ≥ 1,7 V
• Schmitt-Trigger-Eingänge für die Geräuschfilterung
• Kurze Schreibzeit
¢ Byte Schreiben innerhalb von 4 ms
Schreiben innerhalb von 4 ms
• Schreiben Sie die Ausdauer des Zyklus
4 Millionen Schreibzyklen bei 25 °C
- 1,2 Millionen Schreibzyklen bei 85 °C
600 k Schreibzyklen bei 125 °C
400 k Schreibzyklen bei 145 °C
• Aufbewahrung der Daten
- 50 Jahre bei 125 °C
- 100 Jahre bei 25 °C
• ESD-Schutz (Modell des menschlichen Körpers)
4 000 V
• Pakete
¢ RoHS-konform und halogenfrei (ECOPACK2®)

 

 

AnwendungenM95640-DRDW3TP/K


Die M95640-A125 und M95640-A145 sind 64-Kbit-Serielle EEPROM-Automobilgeräte, die bis zu 145 °C arbeiten.Sie entsprechen dem sehr hohen Maß an Zuverlässigkeit der Automobilnorm AEC-Q100 Klasse 0.

 

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonM95640-DRDW3TP/K
 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0051

 

M95640-DRDW3TP/K EEPROM-Speicher-IC Integrierter Schaltkreis-Chip 64Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP 0

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