MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND-Speicher-IC 1Gbit Parallel 48-TSOP
Produktdetails:
Herkunftsort: | Vorlage |
Markenname: | original |
Zertifizierung: | original |
Modellnummer: | MT29F1G08ABADAWP-ITX: |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 1 |
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Preis: | negotiation |
Verpackung Informationen: | Karton |
Lieferzeit: | 3-5 Tage |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 |
Detailinformationen |
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Gedächtnis-Format: | BLITZ | Technologie: | BLITZ - NAND |
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Speicherkapazität: | 1Gbit | Speicherorganisation: | 128M x 8 |
Gedächtnis-Schnittstelle: | Parallel | Spannung - Versorgung: | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur: | -40 °C bis 85 °C (TA) | Paket: | Tray |
Markieren: | MT29F1G08ABADAWP-ITX:,BLITZ Nand Memory IC,48-TSOP-Speicher-IC |
Produkt-Beschreibung
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND-Speicher-IC 1Gbit Parallel 48-TSOP
IC Flash 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
SpezifikationenMT29F1G08ABADAWP-ITX:
TYPE
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Beschreibung
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Kategorie
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Integrierte Schaltungen (IC)
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Gedächtnis
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Gedächtnis
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Mfr
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Micron Technologie Inc.
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Reihe
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-
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Paket
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Tray
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Produktstatus
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Veraltet
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Speichertypen
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Nicht flüchtig
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Speicherformat
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Flasch
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Technologie
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FLASH - NAND
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Speichergröße
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1 Gbit
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Gedächtnisorganisation
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128 M x 8
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Speicheroberfläche
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Parallel
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Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite
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Spannung - Versorgung
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2.7V ~ 3.6V
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Betriebstemperatur
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-40 °C bis 85 °C (TA)
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Typ der Montage
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Oberflächenbefestigung
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Packung / Gehäuse
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48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)
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Lieferanten-Gerätepaket
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48-TSOP I
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Basisproduktnummer
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USE Gefahrenabwehr
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Umwelt- und Exportklassifizierungen vonMT29F1G08ABADAWP-ITX:
ZEITEN | Beschreibung |
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
REACH-Status | REACH unberührt |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |
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