• MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND-Speicher-IC 1Gbit Parallel 48-TSOP
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND-Speicher-IC 1Gbit Parallel 48-TSOP

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND-Speicher-IC 1Gbit Parallel 48-TSOP

Produktdetails:

Herkunftsort: Vorlage
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: MT29F1G08ABADAWP-ITX:

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Verpackung Informationen: Karton
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Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000
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Detailinformationen

Gedächtnis-Format: BLITZ Technologie: BLITZ - NAND
Speicherkapazität: 1Gbit Speicherorganisation: 128M x 8
Gedächtnis-Schnittstelle: Parallel Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40 °C bis 85 °C (TA) Paket: Tray
Markieren:

MT29F1G08ABADAWP-ITX:

,

BLITZ Nand Memory IC

,

48-TSOP-Speicher-IC

Produkt-Beschreibung

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND-Speicher-IC 1Gbit Parallel 48-TSOP
 
IC Flash 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
 
SpezifikationenMT29F1G08ABADAWP-ITX:

 

TYPE
Beschreibung
Kategorie
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Mfr
Micron Technologie Inc.
Reihe
-
Paket
Tray
Produktstatus
Veraltet
Speichertypen
Nicht flüchtig
Speicherformat
Flasch
Technologie
FLASH - NAND
Speichergröße
1 Gbit
Gedächtnisorganisation
128 M x 8
Speicheroberfläche
Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite
-
Spannung - Versorgung
2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 °C bis 85 °C (TA)
Typ der Montage
Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)
Lieferanten-Gerätepaket
48-TSOP I
Basisproduktnummer
USE Gefahrenabwehr
   


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonMT29F1G08ABADAWP-ITX:

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Stunden)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND-Speicher-IC 1Gbit Parallel 48-TSOP 0

 

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