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NAND512W3A2SN6E FLASH - NAND-Speicher IC 512Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Vorlage |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | NAND512W3A2SN6E |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 3-5 Tage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 |
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Detailinformationen |
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| Gedächtnisart: | Permanent | Gedächtnis-Format: | BLITZ |
|---|---|---|---|
| Technologie: | BLITZ - NAND | Speicherkapazität: | 512Mbit |
| Speicherorganisation: | 64M x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle: | Parallel |
| Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite: | 50ns | Zugriffzeit: | 50 ns |
| Spannung - Versorgung: | 2.7V ~ 3.6V | Betriebstemperatur: | -40 °C bis 85 °C (TA) |
Produkt-Beschreibung
NAND512W3A2SN6E FLASH - NAND-Speicher IC 512Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
SpezifikationenNAND512W3A2SN6E
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Gedächtnis |
| Mfr | Micron Technologie Inc. |
| Reihe | - |
| Paket | Tray |
| Speichertypen | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | Flasch |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Gedächtnisorganisation | 64 M x 8 |
| Speicheroberfläche | Parallel |
| Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite | 50 ns |
| Zugriffszeit | 50 ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 48-TSOP |
| Basisproduktnummer | NAND512 |
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonNAND512W3A2SN6E
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
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