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MT41K128M16JT-125 IT:K Speicher-IC für 2Gbit Parallel 800 MHz 13,75 ns 96-FBGA
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Vorlage |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | MT41K128M16JT-125 IT: K |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 3-5 Tage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 |
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Detailinformationen |
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| Speichertypen: | Flüchtig | Speicherformat: | DRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie: | SDRAM - DDR3L | Speichergröße: | 2Gbit |
| Gedächtnisorganisation: | 128M x 16 | Speicheroberfläche: | Parallel |
| Uhrfrequenz: | 800 MHz | Zugriffszeit: | 130,75 ns |
Produkt-Beschreibung
MT41K128M16JT-125 IT:K Speicher-IC für 2Gbit Parallel 800 MHz 13,75 ns 96-FBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
SpezifikationenUSE-Fahrzeug
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
| Gedächtnis | |
| Mfr | Micron Technologie Inc. |
| Reihe | - |
| Paket | Schüttgut |
| Produktstatus | Aktiv |
| Speichertypen | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit |
| Gedächtnisorganisation | 128 M x 16 |
| Speicheroberfläche | Parallel |
| Uhrfrequenz | 800 MHz |
| Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 130,75 ns |
| Spannung - Versorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 95 °C (TC) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 96-TFBGA |
| Lieferanten-Gerätepaket | 96-FBGA (8x14) |
| Basisproduktnummer | USE Gefahrenabweichung |
Merkmale derUSE-Fahrzeug
• VDD = VDDQ = 1,35 V (1,283 1,45 V)
• Rückwärtskompatibel mit VDD = VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Differenzielle bidirektionale Datenstroboskopie
• 8n-Bit-Prefetch-Architektur
• Differentialschalteinträge (CK, CK#)
• 8 interne Banken
• Nominale und dynamische Endung (ODT) für Daten-, Stroboskop- und Maskensignale
• Programmierbare CAS (READ) Latenzzeit (CL)
• Programmierbare gepostete CAS-Additivlatenz (AL)
• Programmierbare CAS (WRITE) Latenzzeit (CWL)
• Festplattenlänge (BL) von 8 und Plattenhöhe (BC) von 4 (über das Modusregister-Set [MRS])
• Auswählbares BC4 oder BL8 On-the-Fly (OTF)
• Selbst-Erneuerungsmodus
• TC von 95°C
- 64ms, 8192-Zyklus Erneuerung bis 85°C
32 ms, 8192 Zyklen bei > 85°C bis 95°C
• Selbsterfrischungstemperatur (SRT)
Beschreibung derUSE-Fahrzeug
Das 1,35V DDR3L SDRAM Gerät ist eine Niederspannungsversion des 1,5V DDR3 SDRAM Geräts.
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonUSE-Fahrzeug
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
