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IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Speicher IC 4Gbit Parallel 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Vorlage |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | IS46TR16256AL-125KBLA2 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Gedächtnisart: | Flüchtig | Gedächtnis-Format: | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie: | SDRAM - DDR3L | Speicherkapazität: | 4Gbit |
| Speicherorganisation: | 256M x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle: | Parallel |
| Taktfrequenz: | 800 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite: | 15ns |
| Zugriffzeit: | 20 ns | ||
| Markieren: | IS46TR16256AL-125KBLA2,SDRAM DDR3L Speicher-IC,800 MHz Speicher-IC |
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Produkt-Beschreibung
IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Speicher IC 4Gbit Parallel 800 MHz 20 ns 96-TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Spezifikationen IS46TR16256AL-125KBLA2
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
| Gedächtnis | |
| Mfr | ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc. |
| Reihe | - |
| Paket | Tray |
| Produktstatus | Veraltet |
| Speichertypen | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4Gbit |
| Gedächtnisorganisation | 256 M x 16 |
| Speicheroberfläche | Parallel |
| Uhrfrequenz | 800 MHz |
| Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannung - Versorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 105 °C (TC) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 96-TFBGA |
| Lieferanten-Gerätepaket | 96-TWBGA (9x13) |
| Basisproduktnummer | Einheitliche Prüfverfahren |
EigenschaftenvonIS46TR16256AL-125KBLA2
* Standardspannung: VDD und VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
* Niedrigspannung (L): VDD und VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rückwärtskompatibel mit 1,5 V
* Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsraten mit einer Systemfrequenz bis 1066 MHz
* 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
* 8n-Bit-Architektur vor dem Abrufen
* Programmierbare CAS-Latenz
* Programmierbare Additive Latenz: 0, CL-1, CL-2
* Programmierbare CAS WRITE-Latenz (CWL) basierend auf tCK
* Programmierbarer Ausbruch: 4 und 8
* Programmierbare Burst-Sequenz: Sequential oder Interleave
* BL-Schalter auf der Flucht
* Automatische Selbsterneuerung (ASR)
* Selbsterfrischungstemperatur (SRT)
* Erneuerungszeit:
- 7,8 us (8192 Zyklen/64 ms) Tc= -40°C bis 85°C
- 3,9 us (8192 Zyklen/32 ms) Tc= 85°C bis 105°C
* Parziale Array Selbst-Erneuerung
* Asynchrone Wiederherstellungsstecker
* TDQS (Termination Data Strobe) unterstützt (nur x8)
* OCD (Off-Chip-Anpassung der Impedanz des Treibers)
* Dynamische ODT (On-Die Termination)
* Triebkraft: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Schreiben von Nivellierung
* Bis zu 200 MHz im abgeschalteten DLL-Modus
* Betriebstemperatur:
- Gewerblich (TC = 0°C bis +95°C)
- Industrie (TC = -40 °C bis +95 °C)
- Automobilindustrie, A1 (TC = -40°C bis +95°C)
- Automobilindustrie, A2 (TC = -40°C bis +105°C)
AnwendungenvonIS46TR16256AL-125KBLA2
Ausstattung:
- 512Mx8
- 256 Mx16
Verpackung:
- 96-Ball BGA (9mm x 13mm) für x16
- 78-Kugel-BGA (9mm x 10,5mm) für x8
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonIS46TR16256AL-125KBLA2
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
