• BLITZ Speicherchip JS28F128P33BF70A EMMC - NOCH entsprechen Gedächtnis IC 128Mbit 52 MHZ 70 ns 56-TSOP
BLITZ Speicherchip JS28F128P33BF70A EMMC - NOCH entsprechen Gedächtnis IC 128Mbit 52 MHZ 70 ns 56-TSOP

BLITZ Speicherchip JS28F128P33BF70A EMMC - NOCH entsprechen Gedächtnis IC 128Mbit 52 MHZ 70 ns 56-TSOP

Produktdetails:

Herkunftsort: Vorlage
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: JS28F128P33BF70A

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton-Kasten
Lieferzeit: Tage 1-3working
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100.000
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Speicherformat: Flasch Technologie: FLASH - NICHT
Speichergröße: 128Mbit Gedächtnisorganisation: 8M x 16
Speicheroberfläche: Parallel Uhrfrequenz: 52MHz
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70 ns
Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40 °C bis 85 °C (TC)
Markieren:

Speicherchip JS28F128P33BF70A EMMC

,

EMMC-Speicherchip 70 ns 56-TSOP

Produkt-Beschreibung

JS28F128P33BF70A FLASH - NOR Speicher IC 128Mbit Parallel 52 MHz 70 ns 56-TSOP

 

STM8AL3168TAX IC MCU 8BIT 32KB FLASH 48LQFP

 

Spezifikationen JS28F128P33BF70A

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Mfr Alliance Memory, Inc.
Reihe StrataFlashTM
Paket Tray
Produktstatus Veraltet
Speichertypen Nicht flüchtig
Speicherformat Flasch
Technologie FLASH - NICHT
Speichergröße 128 Mbit
Gedächtnisorganisation 8M x 16
Speicheroberfläche Parallel
Uhrfrequenz 52 MHz
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite 70 ns
Zugriffszeit 70 ns
Spannung - Versorgung 2.3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TC)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 56-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)
Lieferanten-Gerätepaket 56-TSOP
Basisproduktnummer JS28F128P33

 
Eigenschaftenvon
JS28F128P33BF70A


„* Hohe Leistung:

¢ 70 ns Anfangszugangszeit für TSOP
25ns 8-Wort-Asynchrone-Seiten-Lese-Modus
52 MHz mit null Wartezuständen, 17ns Clock-Todata-Ausgang synchroner Ausbruch-Lesemodus
- Optionen für 4-, 8-, 16- und kontinuierliche Wörter für den Burst-Modus
- 3,0V Puffer-Programmierung bei 1,8 MByte/s (Typ) mit 256-Wort-Puffer
Buffered Enhanced Factory Programming mit 3,2 MByte/s (typisch) mit einem 256-Wort-Buffer

 

 

BeschreibungenvonJS28F128P33BF70A

 

Dieses Dokument enthält Informationen über den Numonyx® P33-65nm Single Bit per Cell (SBC) Flash Memory und beschreibt seine Eigenschaften, Funktionsweise und Spezifikationen.

 

 

Umwelt- und Exportklassifizierungen vonJS28F128P33BF70A

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Stunden)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 

 

BLITZ Speicherchip JS28F128P33BF70A EMMC - NOCH entsprechen Gedächtnis IC 128Mbit 52 MHZ 70 ns 56-TSOP 0


 

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert BLITZ Speicherchip JS28F128P33BF70A EMMC - NOCH entsprechen Gedächtnis IC 128Mbit 52 MHZ 70 ns 56-TSOP Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
Auf deine Antwort wartend.