BLITZ Speicherchip JS28F128P33BF70A EMMC - NOCH entsprechen Gedächtnis IC 128Mbit 52 MHZ 70 ns 56-TSOP
Produktdetails:
Herkunftsort: | Vorlage |
Markenname: | original |
Zertifizierung: | original |
Modellnummer: | JS28F128P33BF70A |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 1 |
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Preis: | negotiation |
Verpackung Informationen: | Karton-Kasten |
Lieferzeit: | Tage 1-3working |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
Detailinformationen |
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Speicherformat: | Flasch | Technologie: | FLASH - NICHT |
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Speichergröße: | 128Mbit | Gedächtnisorganisation: | 8M x 16 |
Speicheroberfläche: | Parallel | Uhrfrequenz: | 52MHz |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: | 70ns | Zugriffszeit: | 70 ns |
Spannung - Versorgung: | 2.3V ~ 3.6V | Betriebstemperatur: | -40 °C bis 85 °C (TC) |
Markieren: | Speicherchip JS28F128P33BF70A EMMC,EMMC-Speicherchip 70 ns 56-TSOP |
Produkt-Beschreibung
JS28F128P33BF70A FLASH - NOR Speicher IC 128Mbit Parallel 52 MHz 70 ns 56-TSOP
STM8AL3168TAX IC MCU 8BIT 32KB FLASH 48LQFP
Spezifikationen JS28F128P33BF70A
TYPE | Beschreibung |
Kategorie | Integrierte Schaltungen (IC) |
Gedächtnis | |
Mfr | Alliance Memory, Inc. |
Reihe | StrataFlashTM |
Paket | Tray |
Produktstatus | Veraltet |
Speichertypen | Nicht flüchtig |
Speicherformat | Flasch |
Technologie | FLASH - NICHT |
Speichergröße | 128 Mbit |
Gedächtnisorganisation | 8M x 16 |
Speicheroberfläche | Parallel |
Uhrfrequenz | 52 MHz |
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite | 70 ns |
Zugriffszeit | 70 ns |
Spannung - Versorgung | 2.3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TC) |
Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 56-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) |
Lieferanten-Gerätepaket | 56-TSOP |
Basisproduktnummer | JS28F128P33 |
EigenschaftenvonJS28F128P33BF70A
* Hohe Leistung:
¢ 70 ns Anfangszugangszeit für TSOP
25ns 8-Wort-Asynchrone-Seiten-Lese-Modus
52 MHz mit null Wartezuständen, 17ns Clock-Todata-Ausgang synchroner Ausbruch-Lesemodus
- Optionen für 4-, 8-, 16- und kontinuierliche Wörter für den Burst-Modus
- 3,0V Puffer-Programmierung bei 1,8 MByte/s (Typ) mit 256-Wort-Puffer
Buffered Enhanced Factory Programming mit 3,2 MByte/s (typisch) mit einem 256-Wort-Buffer
BeschreibungenvonJS28F128P33BF70A
Dieses Dokument enthält Informationen über den Numonyx® P33-65nm Single Bit per Cell (SBC) Flash Memory und beschreibt seine Eigenschaften, Funktionsweise und Spezifikationen.
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonJS28F128P33BF70A
ZEITEN | Beschreibung |
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 3 (168 Stunden) |
REACH-Status | REACH unberührt |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |