• NVMFS5C430NWFAFT1G-Tantal Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn
NVMFS5C430NWFAFT1G-Tantal Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn

NVMFS5C430NWFAFT1G-Tantal Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: NVMFS5C430NWFAFT1G

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Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Kartonkasten
Lieferzeit: Tage 1-3working
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Detailinformationen

Produkt-Status: Aktiv Fet-Art: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 40 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc) Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 3.5V @ 250µA

Produkt-Beschreibung

NVMFS5C430NWFAFT1G-Tantal Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn

 

N-Kanal 40 V 35A (Ta), 185A (Tc) 3.8W (Ta), 106W (Tc) Berg 5-DFN (5x6) (8-SOFL) der Oberflächen-

 

Spezifikationen von NVMFS5C430NWFAFT1G

 

ART BESCHREIBUNG
Kategorie Getrennte Halbleiter-Produkte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FETs, MOSFETs
Mfr onsemi
Reihe Automobil, AEC-Q101
Paket Band u. Spule (TR)
Schneiden Sie Band (CT)
Produkt-Status Aktiv
Fet-Art N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 40 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 35A (Ta), 185A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 1.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 3.5V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 3300 PF @ 25 V
Fet-Eigenschaft -
Verlustleistung (maximal) 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket/Fall 8-PowerTDFN, 5 Führungen
Niedrige Produkt-Zahl NVMFS5

 

EIGENSCHAFTEN von NVMFS5C430NWFAFT1G

 
• Kleiner Abdruck (5x6 Millimeter) für Kompaktbauweise
• Niedriges RDS (an) zum von Leitungs-Verlusten herabzusetzen
• Niedriges QG und Kapazitanz, zum des Fahrers Losses herabzusetzen
• NVMFS5C430NWF-− benetzbare Flanken-Wahl für erhöhte optische Inspektion
• AEC−Q101 qualifizierte und fähiges PPAP
• Diese Geräte sind Pb−Free und sind konformes RoHS
 

Anwendungen von NVMFS5C430NWFAFT1G

 
1. Die gesamte Anwendungsumwelt wirkt die thermischen gezeigten Widerstandswerte aus, sind sie nicht Konstanten und sind für die bestimmten gemerkten Bedingungen nur gültig.
2. Surface−mounted auf FR4 Brett unter Verwendung eines 650 mm2, 2 Unze. Cuauflage.
3. Maximaler Strom für Impulse, solange 1 Sekunde aber höher ist, von der Impulsdauer und vom Arbeitszyklus abhängig ist.
 

Klima- u. Export-Klassifikationen von NVMFS5C430NWFAFT1G

 
ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3 konform
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) 1 (unbegrenzt)
REICHWEITE Status ERREICHEN Sie unberührtes
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

NVMFS5C430NWFAFT1G-Tantal Chip Capacitor Mosfet N-Ch 40v 35a/185a 5dfn 0

 

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