NTTFS4C10NTWG Tantal-Chip-Kondensator Mosfet N-Ch 30 V 8,2 A/44 A 8 Wdfn
Produktdetails:
Herkunftsort: | ursprünglich |
Markenname: | original |
Zertifizierung: | original |
Modellnummer: | NTTFS4C10NTWG |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 1 |
---|---|
Preis: | negotiation |
Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
Lieferzeit: | Tage 1-3working |
Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
Detailinformationen |
|||
Produkt-Status: | Aktiv | Fet-Art: | N-Kanal |
---|---|---|---|
Technologie: | MOSFET (Metalloxid) | Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): | 30 V |
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: | 8.2A (Ta), 44A (Tc) | Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: | 7.4mOhm @ 30A, 10V | Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: | 2.2V @ 250µA |
Produkt-Beschreibung
NTTFS4C10NTWG Tantal-Chip-Kondensator Mosfet N-Ch 30 V 8,2 A/44 A 8 Wdfn
N-Kanal 30 V 8,2 A (Ta), 44 A (Tc) 790 mW (Ta), 23,6 W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3 x 3,3)
Spezifikationen vonNTTFS4C10NTWG
TYP | BESCHREIBUNG |
Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Transistoren | |
FETs, MOSFETs | |
Einzelne FETs, MOSFETs | |
Hersteller | onsemi |
Serie | - |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Schnittband (CT) | |
Digi-Reel® | |
Produktstatus | Aktiv |
FET-Typ | N-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8,2A (Ta), 44A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4,5 V, 10 V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7,4 mOhm bei 30 A, 10 V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,2 V bei 250 µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18,6 nC bei 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 993 pF bei 15 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 790 mW (Ta), 23,6 W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Oberflächenmontage |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-WDFN (3,3x3,3) |
Paket/Koffer | 8-PowerWDFN |
Basisproduktnummer | NTTFS4 |
MerkmaleNTTFS4C10NTWG
• Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Geringe Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
• Optimierte Gate-Ladung zur Minimierung von Schaltverlusten
• Diese Geräte sind Pb-frei, Halogen-frei/BFR-frei und RoHS-konform
Anwendungen vonNTTFS4C10NTWG
• DC-DC-Wandler
• Leistungslastschalter
• Notebook-Batteriemanagement
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonNTTFS4C10NTWG
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unbegrenzt) |
REACH-Status | REACH Unberührt |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?