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NCV5183DR2G Tvs Diode Smd Ic Gate Drvr Halbbrücke 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | NCV5183DR2G |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Eingegebene Art: | Nicht-Umwandlung | Hohe Seitenspannung - maximal (Stiefelriemen): | 600 V |
|---|---|---|---|
| Aufstieg/Abfallzeit (Art): | 12ns, 12ns | Betriebstemperatur: | -40°C | 125°C (TJ) |
| Befestigung der Art: | Oberflächenberg | Paket/Fall: | 8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite) |
| Lieferanten-Gerät-Paket: | 8-SOIC | Niedrige Produkt-Zahl: | NCV5183 |
Produkt-Beschreibung
NCV5183DR2G Tvs Diode Smd Ic Gate Drvr Halbbrücke 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND
Halbbrücken-Gate-Treiber-IC, nicht invertierend, 8-SOIC
Spezifikationen von NCV5183DR2G
| TYP | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Integrierte Schaltkreise (ICs) |
| Energiemanagement (PMIC) | |
| Gate-Treiber | |
| Hersteller | onsemi |
| Serie | Automobil, AEC-Q100 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Schnittband (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Produktstatus | Aktiv |
| Digi-Key programmierbar | Nicht verifiziert |
| Getriebene Konfiguration | Halbbrücke |
| Kanaltyp | Unabhängig |
| Anzahl der Fahrer | 2 |
| Tortyp | N-Kanal-MOSFET |
| Spannungsversorgung | 9V ~ 18V |
| Logikspannung – VIL, VIH | 1,2 V, 2,5 V |
| Strom – Spitzenausgang (Quelle, Senke) | 4,3A, 4,3A |
| Eingabetyp | Nicht invertiert |
| High-Side-Spannung – Max (Bootstrap) | 600 V |
| Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) | 12ns, 12ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Oberflächenmontage |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC |
| Basisproduktnummer | NCV5183 |
MerkmaleNCV5183DR2G
•Automotive-qualifiziert nach AEC Q100
•Spannungsbereich: bis 600 V•dV/dt-Immunität
•Gate-Drive-Versorgungsbereich von 9 V bis 18 V
•Ausgangsstromquelle/-senke: 4,3 A/4,3 A
•Kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik
•Erweiterter zulässiger negativer Brückenpin-Spannungshub auf –10 V
•Abgestimmte Ausbreitungsverzögerungen zwischen beiden Kanälen
•Ausbreitungsverzögerung typisch 120 ns
•Unter VCC LockOut (UVLO) für beide Kanäle
•Pin-zu-Pin-kompatibel mit Industriestandards
•Dies sind bleifreie Geräte
Anwendungen vonNCV5183DR2G
•Stromversorgungen für Telekommunikation und Datenkommunikation
•Halbbrücken- und Vollbrückenwandler
•Push-Pull-Wandler
•Hochspannungs-Synchron-Abwärtswandler
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonNCV5183DR2G
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH Unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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