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M95512-WMN6TP Tvs Diode Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | M95512-WMN6TP |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Produkt-Status: | Aktiv | Digi-Schlüssel programmierbar: | Überprüft |
|---|---|---|---|
| Gedächtnis-Art: | Permanent | Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM | Speicherkapazität: | 512Kbit |
| Speicherorganisation: | 64K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle: | SPI |
Produkt-Beschreibung
M95512-WMN6TP Tvs Diode Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
EEPROM-Speicher-IC 512Kbit SPI 16 MHz 8-SOIC
Spezifikationen vonM95512-WMN6TP
| TYP | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Integrierte Schaltkreise (ICs) |
| Speicher | |
| Speicher | |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Schnittband (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Produktstatus | Aktiv |
| Digi-Key programmierbar | Verifiziert |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Speichergröße | 512Kbit |
| Gedächtnisorganisation | 64K x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI |
| Taktfrequenz | 16 MHz |
| Schreibzykluszeit – Wort, Seite | 5ms |
| Spannungsversorgung | 2,5 V ~ 5,5 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Oberflächenmontage |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC |
| Basisproduktnummer | M95512 |
MerkmaleM95512-WMN6TP
• Kompatibel mit dem Serial Peripheral Interface (SPI)-Bus
• Speicherarray
– 512 KBit (64 KByte) EEPROM
– Seitengröße: 128 Byte
– Zusätzliche schreibsperrbare Seite (Identifikationsseite)
• Zeit zum Schreiben
– Byte-Schreiben innerhalb von 5 ms
– Seitenschreibvorgang innerhalb von 5 ms
• Schreibschutz
– Viertel-Array
– halbes Array
– gesamtes Speicherarray
• Hochgeschwindigkeitstakt: 16 MHz
• Einzelne Versorgungsspannung:
– 2,5 V bis 5,5 V für M95512-W
– 1,8 V bis 5,5 V für M95512-R
– 1,7 V bis 5,5 V für M95512-DF
• Betriebstemperaturbereich: von -40 °C bis +85 °C
• Verbesserter ESD-Schutz
• Mehr als 4 Millionen Schreibzyklen
• Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung
• Pakete
– SO8N (ECOPACK2)
– TSSOP8 (ECOPACK2)
– UFDFPN8 (ECOPACK2)
– WLCSP8 (ECOPACK2)
Stromausfall vonM95512-WMN6TP
Während des Abschaltens (kontinuierlicher Abfall der VCC-Versorgungsspannung unter den minimalen VCCBetriebsspannungdefiniert in Abschnitt 9 DC- und AC-Parameter), muss das Gerät sein:
• abgewählt (Chip Select S muss der an VCC angelegten Spannung folgen dürfen)
• im Standby-Stromversorgungsmodus (es darf kein interner Schreibzyklus laufen)
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonM95512-WMN6TP
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH Unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
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