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IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | Is43dr16640b-25dbli-Tr |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | 15ns | Zugriffzeit: | 400 ps |
|---|---|---|---|
| Spannung - Versorgung: | 1.7V | 1.9V | Betriebstemperatur: | -40°C | 85°C (TA) |
| Befestigung der Art: | Oberflächenberg | Paket/Fall: | 84-TFBGA |
| Lieferanten-Gerät-Paket: | 84-TWBGA (8x12.5) | Niedrige Produkt-Zahl: | IS43DR16640 |
| Markieren: | IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM,IC DRAM 1 GBIT PARALLEL 84 TWBGA,DRAM IC 1 GBIT PARALLEL 84 TWBGA |
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Produkt-Beschreibung
Is25lp040e-Jnle-Tr Drahtloses HF-Modul Ic Flash 4 Mbit Spi/Quad 8 SOIC
Is43dr16640b-25dbli-Tr Drahtloses HF-Modul Ic Dram 1 Gbit Parallel 84twbga
SDRAM – DDR2-Speicher-IC 1 Gbit parallel 400 MHz 400 PS 84-TWBGA (8 x 12,5)
Spezifikationen von Is43dr16640b-25dbli-Tr
| TYP | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Integrierte Schaltkreise (ICs) |
| Speicher | |
| Speicher | |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produktstatus | Nicht für neue Designs |
| Digi-Key programmierbar | Nicht verifiziert |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 1Gbit |
| Gedächtnisorganisation | 64M x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400 MHz |
| Schreibzykluszeit – Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 400 PS |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Oberflächenmontage |
| Paket/Koffer | 84-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 84-TWBGA (8x12,5) |
| Basisproduktnummer | IS43DR16640 |
MerkmaleIs43dr16640b-25dbli-Tr
Taktfrequenz bis zu 400 MHz
8 interne Bänke für gleichzeitigen Betrieb
4-Bit-Prefetch-Architektur
Programmierbare CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7
Programmierbare additive Latenz: 0, 1, 2, 3, 4,5und 6
Schreiblatenz = Leselatenz-1
Programmierbare Burst-Sequenz: Sequentiell oderVerschachteln
Programmierbare Burst-Länge: 4 und 8
Automatischer und kontrollierter Vorladebefehl
Power-Down-Modus
Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
Aktualisierungsintervall: 7,8 s (8192 Zyklen/64 ms)
ODT (On-Die Termination)
Option für Datenausgabetreiber mit schwacher Stärke
Bidirektionaler differenzieller Daten-Strobe(Single-Ended-Data-Strobe ist eine optionale Funktion)
On-Chip-DLL richtet DQ- und DQ-Übergänge ausmitCK-Übergänge
DQS# kann für Single-Ended-Daten deaktiviert werdenBlitz
Read Data Strobe unterstützt (nur x8)
Differenzielle Takteingänge CK und CK#
VDD und VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
PASR (partielle Array-Selbstaktualisierung)
AnwendungenvonIs43dr16640b-25dbli-Tr
SSTL_18-Schnittstelle
TRAS-Sperrung unterstützt
Betriebstemperatur:Kommerziell (TA = 0°C bis 70°C; TC = 0°C bis85°C)Industriell (TA = -40 °C bis 85 °C; TC = -40 °Cbis 95°C)Automobil, A1 (TA = -40 °C bis 85 °C; TC = -40°C bis 95°C)Automobil, A2 (TA = -40 °C bis 105 °C; TC = -40°C bis105°C)
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonIs43dr16640b-25dbli-Tr
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH Unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0032 |
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