• Ipd60r1k0ceauma1 Drahtloses HF-Modul Mosfet N-Ch 100 V 60 A To252-3
Ipd60r1k0ceauma1 Drahtloses HF-Modul Mosfet N-Ch 100 V 60 A To252-3

Ipd60r1k0ceauma1 Drahtloses HF-Modul Mosfet N-Ch 100 V 60 A To252-3

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: IPD60R1K0CEAUMA1

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Kartonkasten
Lieferzeit: Tage 1-3working
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100.000
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Detailinformationen

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 3170 PF @ 25 V Fet-Eigenschaft: -
Verlustleistung (maximal): 94W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art: Oberflächenberg Lieferanten-Gerät-Paket: PG-TO252-3-313
Paket/Fall: TO-252-3, DPak (2 Führungen + Vorsprung), SC-63 Niedrige Produkt-Zahl: IPD60N10

Produkt-Beschreibung

IPD60N10S4L-12 DRAHTLOSES HF-MODUL MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

 

N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 94 W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3-313

 

Spezifikationen vonIPD60R1K0CEAUMA1

 

TYP BESCHREIBUNG
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FETs, MOSFETs
Hersteller Infineon Technologies
Serie Automobil, AEC-Q101, HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Produktstatus Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm bei 60 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 2,1 V bei 46 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC bei 10 V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3170 pF bei 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 94W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO252-3-313
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Tab), SC-63
Basisproduktnummer IPD60N10

 

MerkmaleIPD60R1K0CEAUMA1

 

• N-Kanal – Verbesserungsmodus
• AEC-qualifiziert
• MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow
• 175°C Betriebstemperatur
• Grünes Produkt (RoHS-konform)
• 100 % Lawinentest
 

AnwendungenvonIPD60R1K0CEAUMA1

 

Weitere Informationen zur Technik, LieferungAllgemeine Geschäftsbedingungen und Preise kontaktieren Sie bittedas nächstgelegene Büro von Infineon Technologies (www.
infineon.com).
 

Umwelt- und Exportklassifizierungen vonIPD60R1K0CEAUMA1

 

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unbegrenzt)
REACH-Status REACH Unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Ipd60r1k0ceauma1 Drahtloses HF-Modul Mosfet N-Ch 100 V 60 A To252-3 0

 

 

 

 



 

 

 

 

 

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