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BSC900N20NS3GATMA1 Drahtloses HF-Modul Mosfet N-Ch 200 V 15,2 A Tdson-8
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | BSC900N20NS3GATMA1 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Produkt-Status: | Aktiv | Fet-Art: | N-Channelxer |
|---|---|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metalloxid) | Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): | 200 V |
| Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: | 15.2A (Tc) | Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: | 90mOhm @ 7.6A, 10V | Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: | 4V @ 30µA |
Produkt-Beschreibung
BSC900N20NS3GATMA1 Drahtloses HF-Modul Mosfet N-Ch 200 V 15,2 A Tdson-8
N-Kanal 200 V 15,2 A (Tc) 62,5 W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-5
Spezifikationen vonBSC900N20NS3GATMA1
| TYP | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistoren | |
| FETs, MOSFETs | |
| Einzelne FETs, MOSFETs | |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Schnittband (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 15,2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm bei 7,6 A, 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4 V bei 30 µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11,6 nC bei 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 920 pF bei 100 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 62,5 W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Oberflächenmontage |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TDSON-8-5 |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN |
| Basisproduktnummer | BSC900 |
MerkmaleBSC900N20NS3GATMA1
• Optimiert für DC-DC-Wandlung
• N-Kanal, normaler Pegel
• Hervorragende Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)
• Niedriger Einschaltwiderstand R DS(on)
• 150 °C Betriebstemperatur
• Bleifreie Bleibeschichtung;RoHS-konform
• Qualifiziert nach JEDEC1) für den gezielten Einsatz
• Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Informationen vonBSC900N20NS3GATMA1
Für weitere Informationen zu Technologie, Lieferbedingungen und Preisen wenden Sie sich bitte an die nächstgelegene Infineon Technologies-Niederlassung (www.infineon.com).
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonBSC900N20NS3GATMA1
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH Unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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