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Transistor MMBT3904 IC-Chip 200MA EPITAXIAL- PLAN SILIKON-NPN
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | MMBT3904 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): | 200 MA | Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): | 40 V |
|---|---|---|---|
| Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: | 300mV @ 5mA, 50mA | Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): | 50nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: | 100 @ 10mA, 1V | Macht- maximales: | 300mW |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz | Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
Produkt-Beschreibung
Transistor MMBT3904 IC-Chip 200MA EPITAXIAL- PLAN SILIKON-NPN
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 40 V 200 MA 250MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
Spezifikationen von MMBT3904
| ART | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Getrennte Halbleiter-Produkte |
| Transistoren | |
| Zweipolig (BJT) | |
| Einzelne bipolar Transistor | |
| Mfr | ANBON-HALBLEITER (INTERNATIONAL) BEGRENZT |
| Reihe | - |
| Paket | Band u. Spule (TR) |
| Schneiden Sie Band (CT) | |
| Produkt-Status | Aktiv |
| Transistor-Art | NPN |
| Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal) | 200 MA |
| Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal) | 40 V |
| Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal) | 50nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Macht- maximales | 300 mW |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C | 150°C (TJ) |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Paket/Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferanten-Gerät-Paket | SOT-23 |
| Niedrige Produkt-Zahl | MMBT390 |
Eigenschaften von MMBT3904
• Hohe Kollektor-emitterbreakdienspannung. (BVCEO 40V Min.@Ic =1mA)
• Kleiner Lastsschaltertransistor mit hohem Gewinn und niedriger Sättigung, ist für universellen Verstärker und zugeschaltete Anwendungen am Kollektorstrom bestimmt.
• Fähig zur Verlustleistung 225mW.
• Bleifreie Teile für grünen Partner, übersteigt Umweltnormen von MIL-STD-19500/228
• Suffix „- H“ zeigt das Halogen-freie Teil an, ex. MMBT3904-H.
Klima- u. Export-Klassifikationen von MMBT3904
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3 konform |
| Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
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