• BSS138-7-F Transistor Integrierter Schaltkreis 50V 200mA N-Kanal Mosfet IC SOT-23-3
BSS138-7-F Transistor Integrierter Schaltkreis 50V 200mA N-Kanal Mosfet IC SOT-23-3

BSS138-7-F Transistor Integrierter Schaltkreis 50V 200mA N-Kanal Mosfet IC SOT-23-3

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: Original
Zertifizierung: Original
Modellnummer: BSS138-7-F

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Kartonkasten
Lieferzeit: Tage 1-3working
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100.000
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Detailinformationen

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 50 V Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 220mA (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 1.5V @ 250µA Betriebstemperatur: -55°C | 150°C (TJ)
Markieren:

BSS138-7-F N-Kanal-Mosfet-IC

,

50 V

,

200 mA

Produkt-Beschreibung

BSS138-7-F Transistor-IC-Chip N-Kanal 50 V 200 mA 300 mW Oberflächenmontage SOT-23-3

 

Merkmale von BSS138-7-F

 

 Niedriger Einschaltwiderstand
 Niedrige Gate-Schwellenspannung
 Niedrige Eingangskapazität
 Schnelle Schaltgeschwindigkeit
 Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage
 Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform (Hinweise 1 und 2)
 Halogen- und Antimonfrei.„Grünes“ Gerät (Hinweis 3)
 Für Automobilanwendungen, die spezifische Änderungen erfordern

 

ProdukteigenschaftenvonBSS138-7-F

 

Produkt
BSS138-7-F
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
50 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3,5 Ohm bei 220 mA, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1,5 V bei 250 µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
50 pF bei 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300 mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer
BSS138

 

Mechanische Daten von BSS138-7-F


 Gehäuse: SOT23
 Gehäusematerial: geformter Kunststoff.UL-Klassifizierung der Brennbarkeit
Bewertung 94V-0
 Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 gemäß J-STD-020
 Anschlüsse: Mattzinn-Finish, geglüht über Alloy 42 Leadframe
(Bleifreie Beschichtung).Lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208
 Terminalanschlüsse: Siehe Diagramm
 Gewicht: 0,008 Gramm (ungefähr)

 

Umwelt- und Exportklassifizierungen von BSS138-7-F

BSS138-7-F Transistor Integrierter Schaltkreis 50V 200mA N-Kanal Mosfet IC SOT-23-3 0

 

Artikelnummer Fall Verpackung
BSS138-7-F SOT23 (Standard) 3000/Band und Rolle
BSS138-13-F SOT23 (Standard) 10000/Band und Rolle

 

BSS138-7-F Transistor Integrierter Schaltkreis 50V 200mA N-Kanal Mosfet IC SOT-23-3 1

 

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