• DTD123ECT116 Bipolartransistor 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage SST3
DTD123ECT116 Bipolartransistor 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage SST3

DTD123ECT116 Bipolartransistor 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage SST3

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: Original
Zertifizierung: Original
Modellnummer: DTD123ECT116

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Kartonkasten
Lieferzeit: Tage 1-3working
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100.000
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Detailinformationen

Transistor-Art: NPN - Vor-voreingenommen Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 500 MA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 50V Betriebstemperatur: -40°C | 85°C
Widerstand - Basis (R1): 2,2 kOhms SMounting-Art: Oberflächenberg
Markieren:

DTD123ECT116 Bipolartransistor

,

Bipolartransistor 50 V

,

500 mA

Produkt-Beschreibung

DTD123ECT116 Bipolartransistor 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage SST3

 

Produktattribute vonDTD123ECT116
TYP
BESCHREIBUNG
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
Hersteller
ROHM
Serie
-
Produktstatus
Aktiv
Transistortyp
NPN – Voreingestellt
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
500mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2,2 kOhm
Widerstand – Emitterbasis (R2)
2,2 kOhm
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
39 bei 50 mA, 5 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300 mV bei 2,5 mA, 50 mA
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Häufigkeit – Übergang
200 MHz
Leistung max
200 mW
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SST3
Basisproduktnummer
DTD123

 

Umwelt- und Exportklassifizierungen

 

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unbegrenzt)
REACH-Status REACH Unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

Merkmalevon DTD123ECT116

 

1) Eingebaute Vorspannungswiderstände ermöglichen die Konfiguration einer Wechselrichterschaltung ohne externen Anschluss
Externe Eingangswiderstände.(siehe Ersatzschaltbild)
2) Der Vorspannungswiderstand besteht aus einem Dünnschichtwiderstand mit vollständiger Isolierung, um eine negative Vorspannung des Eingangs zu ermöglichen.Sie haben auch
den Vorteil, dass parasitäre Effekte nahezu vollständig eliminiert werden.
3) Für den Betrieb müssen nur die Ein-/Aus-Bedingungen eingestellt werden, was das Gerätedesign vereinfacht.

 

DTD123ECT116 Bipolartransistor 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage SST3 0

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