DTD123ECT116 Bipolartransistor 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage SST3
Produktdetails:
Herkunftsort: | ursprünglich |
Markenname: | Original |
Zertifizierung: | Original |
Modellnummer: | DTD123ECT116 |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 1 |
---|---|
Preis: | negotiation |
Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
Lieferzeit: | Tage 1-3working |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
Detailinformationen |
|||
Transistor-Art: | NPN - Vor-voreingenommen | Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): | 500 MA |
---|---|---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): | 50V | Betriebstemperatur: | -40°C | 85°C |
Widerstand - Basis (R1): | 2,2 kOhms | SMounting-Art: | Oberflächenberg |
Markieren: | DTD123ECT116 Bipolartransistor,Bipolartransistor 50 V,500 mA |
Produkt-Beschreibung
DTD123ECT116 Bipolartransistor 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage SST3
TYP
|
BESCHREIBUNG
|
---|---|
Kategorie
|
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Einzelne, vorgespannte Bipolartransistoren
|
Hersteller
|
ROHM
|
Serie
|
-
|
Produktstatus
|
Aktiv
|
Transistortyp
|
NPN – Voreingestellt
|
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
|
500mA
|
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
|
50 V
|
Widerstand - Basis (R1)
|
2,2 kOhm
|
Widerstand – Emitterbasis (R2)
|
2,2 kOhm
|
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
|
39 bei 50 mA, 5 V
|
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
|
300 mV bei 2,5 mA, 50 mA
|
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
|
500nA
|
Häufigkeit – Übergang
|
200 MHz
|
Leistung max
|
200 mW
|
Befestigungsart
|
Oberflächenmontage
|
Paket/Koffer
|
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
Gerätepaket des Lieferanten
|
SST3
|
Basisproduktnummer
|
DTD123
|
Umwelt- und Exportklassifizierungen
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
---|---|
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unbegrenzt) |
REACH-Status | REACH Unberührt |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Merkmalevon DTD123ECT116
1) Eingebaute Vorspannungswiderstände ermöglichen die Konfiguration einer Wechselrichterschaltung ohne externen Anschluss
Externe Eingangswiderstände.(siehe Ersatzschaltbild)
2) Der Vorspannungswiderstand besteht aus einem Dünnschichtwiderstand mit vollständiger Isolierung, um eine negative Vorspannung des Eingangs zu ermöglichen.Sie haben auch
den Vorteil, dass parasitäre Effekte nahezu vollständig eliminiert werden.
3) Für den Betrieb müssen nur die Ein-/Aus-Bedingungen eingestellt werden, was das Gerätedesign vereinfacht.