• FDN335N-Transistor IC brechen Oberflächenberg SOT-23 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet IC ab
FDN335N-Transistor IC brechen Oberflächenberg SOT-23 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet IC ab

FDN335N-Transistor IC brechen Oberflächenberg SOT-23 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet IC ab

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: Original
Zertifizierung: Original
Modellnummer: FDN335N

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Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Kartonkasten
Lieferzeit: Tage 1-3working
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Detailinformationen

Oberflächenberg SOT-23 des FDN335N-Transistor IC-Chip-P-Kanal-20 V 1.7A 1W: 20 V Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 1.5V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 3,5 nC @ 4,5 V Vgs (maximal): ±8V
Markieren:

FDN335N-Transistor IC-Chip

,

1.7A 1 W.P. Channel Mosfet IC

,

IC-Chip Transistor 20V 1.7A

Produkt-Beschreibung

Oberflächenberg SOT-23 des FDN335N-Transistor IC-Chip-P-Kanal-20 V 1.7A 1W

 

Eigenschaften von FDN335N

 

TrenchFET-Energie MOSFET
●Entwurf des Abendessens Zellmit hoher dichte

 

Produkteigenschaften von FDN335N

 

Produkt
FDN335N
Fet-Art
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
20 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
1.7A (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
1.5V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
3,5 nC @ 4,5 V
Vgs (maximal)
±8V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
310 PF @ 10 V
Fet-Eigenschaft
-
Verlustleistung (maximal)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigung der Art
Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket
SOT-23
Paket/Fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

 

Klima- u. Export-Klassifikationen von FDN335N
ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) 1 (unbegrenzt)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Anwendung von FDN335N

 

※ Batterieschutz
※ Laden Schalter
※ Batteriemanagement

 

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