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IRF6713STRPBF N-Kanal 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc)
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Original |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | IRF6713STRPBF |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 1-3 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100,000 |
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Detailinformationen |
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| Technologie: | MOSFET (Metalloxid) | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3mOhm @ 22A, 10V |
|---|---|---|---|
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss): | 25 V | Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: | 22A (Ta), 95A (Tc) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): | 4.5V, 10V | Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 32 nC @ 4,5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 50μA | Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: | 2880 pF @ 13 V |
Produkt-Beschreibung
IRF6713STRPBF N-Kanal 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc)
SpezifikationenIRF6713STRPBF
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistoren | |
| FETs, MOSFETs | |
| Einzelne FET, MOSFET | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Reihe | HEXFET® |
| Paket | Band und Rolle (TR) |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 25 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 95A (Tc) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50μA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 4,5 V |
| Vgs (maximal) | ± 20V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2880 pF @ 13 V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 150 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Lieferanten-Gerätepaket | DIRECTFETTM SQ |
| Packung / Gehäuse | DirectFETTM Isometrische SQ |
Merkmale derIRF6713STRPBF
RoHS-konform ohne Blei und Bromid
Niedriges Profil (< 0,7 mm)
Doppelseitige Kühlung kompatibel
Ultra-niedrige Packungsinduktivität
Optimiert für Hochfrequenzschalter
Ideal für CPU-Core-DC-Wandler
Optimiert sowohl für Sync.FET als auch für einige Control FET Anwendungen
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Kompatibel mit bestehenden Oberflächenbefestigungsverfahren
100% Rg getestet
Beschreibung derIRF6713STRPBF
The IRF6713SPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm Profil. Das DirectFET-Paket ist kompatibel mit bestehenden Layout-Geometrien, die in Anwendungen für Strom, PCB-Montageanlagen und Dampfphasen, Infrarot- oder Konvektionslösungstechniken verwendet werden,bei Anwendung der Anwendungsbemerkung AN-1035 hinsichtlich der Herstellungsmethoden und -verfahrenDas DirectFET-Paket ermöglicht eine doppelseitige Kühlung, um die Wärmeübertragung in Stromversorgungssystemen zu maximieren und die bisher beste Wärmewiderstandsfähigkeit um 80% zu verbessern.
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonIRF6713STRPBF
| ZEITEN | Beschreibung |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
