• IHLP2525BDER8R2M01 8,2 μH Schirmgeformter Induktor 3 A 106mOhm Max Nichtstandard
IHLP2525BDER8R2M01 8,2 μH Schirmgeformter Induktor 3 A 106mOhm Max Nichtstandard

IHLP2525BDER8R2M01 8,2 μH Schirmgeformter Induktor 3 A 106mOhm Max Nichtstandard

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: IHLP2525BDER8R2M01

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Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
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Detailinformationen

Induktivität: 8.2 μH Toleranz: ± 20%
Leistungsbewertung (Ampere): 0,125 Strom - Sättigung (Isat): 8A
Gleichstromwiderstand (DCR): 106 mOhm Max. Betriebstemperatur: -55 °C bis 125 °C
Induktivitätsfrequenz - Prüfung: 100 kHz Höhe - Sitzplatz (maximal): 0,094" (2.40mm)

Produkt-Beschreibung

CHV2512-JW-107ELF 100 MOhms ± 5% 1W Chipwiderstand 2512 Hochspannungsdicke Folie


Spezifikationen IHLP2525BDER8R2M01

 

TYPE Beschreibung
Kategorie andere, mit einer Breite von mehr als 20 mm
  Feste Induktoren
Mfr Vishay Dale
Reihe IHLP-2525BD-01
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
Typ Verformte
Material - Kern -
Induktivität 8.2 μH
Toleranz ± 20%
Leistungsbewertung (Ampere) 0.125
Strom - Sättigung (Isat) 8A
Schirmung Schild
Gleichstromwiderstand (DCR) 106 mOhm Max.
Q @ Freq -
Frequenz - Selbstresonanz -
Ratings -
Betriebstemperatur -55 °C bis 125 °C
Induktivitätsfrequenz - Prüfung 100 kHz
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse Nicht-Standard
Lieferanten-Gerätepaket -
Größe / Abmessung 0.270" L x 0,255" W (6,86mm x 6,47mm)
Höhe - Sitzplatz (maximal) 0.094" (2.40mm)

 

 

Eigenschaften von IHLP2525BDER8R2M01


• Die niedrigste Höhe (2,4 mm) in diesem Verpackungsabdruck
• Schirmkonstruktionen
• Frequenzbereich bis 5,0 MHz
• Niedrigste DCR/μH in dieser Packungsgröße
• Handhabung hoher vorübergehender Stromspitzen ohne Sättigung
• Ultra-niedriges Summen durch Verbundwerkstoffe
• IHLP-Design. Patent (s): www.vishay.com/patents
• Materialkategorisierung: für Konformitätsdefinitionen

 

 

 

 

 

Anwendungen von IHLP2525BDER8R2M01


• PDA / Notebook / Desktop / Serveranwendungen
• Hochstrom-POL-Wandler
• Niedriges Profil, hohe Stromversorgung
• Batteriebetriebene Geräte
• Gleichspannungs­/Gleichspannungsumrichter in verteilten Stromversorgungssystemen
• Gleichspannungs­/ Gleichspannungs­konverter für Field Programmable Gate Array (FPGA)

 

 

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