• BC858ALT1G Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3
BC858ALT1G Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3

BC858ALT1G Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: BC858ALT1G

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 1-3 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100,000
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Detailinformationen

Transistortyp: PNP Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 100 MA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 30 V Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: 650mV @ 5mA, 100mA
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Leistung - Max.: 300mW Frequenz - Übergang: 100 MHz
Markieren:

BC858ALT1G

,

BC858ALT1G Bipolar-BJT-Transistor

Produkt-Beschreibung

BC858ALT1G Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3

 

SpezifikationenBC858ALT1G

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  Bipolar (BJT)
  Einzelbipolare Transistoren
Mfr Ein- und zweimal
Reihe -
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
Transistortyp PNP
Strom - Kollektor (Ic) (maximal) 100 mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal) 30 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Sammlergrenze (maximal) 15nA (ICBO)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Leistung - Max. 300 mW
Häufigkeit - Übergang 100 MHz
Betriebstemperatur -55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Basisproduktnummer BC858

 
Merkmale der BC858ALT1G


• S- und NSV-Vorzeichen für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern;

AEC-Q101 Qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Geräte sind Pb-frei, Halogen-frei/BFR-frei und RoHS-konform

 

 

 

Anwendungen BC858ALT1G


xx = Gerätekode
xx = (siehe Seite 6)
M = Datumskode*
= Pb-freies Paket

 

 

 

Umwelt- und Exportklassifizierungen vonBC858ALT1G

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

BC858ALT1G Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 300 mW SOT-23-3 0

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