2SA2013-TD-E Bipolartransistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W Oberflächenmontage PCP
Produktdetails:
Herkunftsort: | Original |
Markenname: | original |
Zertifizierung: | original |
Modellnummer: | 2SA2013-TD-E |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 1 |
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Preis: | negotiation |
Verpackung Informationen: | Karton |
Lieferzeit: | 1-3 Arbeitstage |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100,000 |
Detailinformationen |
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Transistortyp: | PNP | Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): | 50V |
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Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): | 0.166666667 | Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): | 1 μA (ICBO) |
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: | 340mV @ 100mA, 2A | Leistung - Max.: | 3.5v |
Frequenz - Übergang: | 400 MHz | Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: | 200 @ 500mA, 2V |
Markieren: | 2SA2013-TD-E,2SA2013-TD-E Bipolartransistor PNP |
Produkt-Beschreibung
2SA2013-TD-E Bipolartransistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W Oberflächenmontage PCP
Spezifikationen 2SA2013-TD-E
TYPE | Beschreibung |
Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Transistoren | |
Bipolar (BJT) | |
Einzelbipolare Transistoren | |
Mfr | Ein- und zweimal |
Reihe | - |
Paket | Band und Rolle (TR) |
Schnittband (CT) | |
Produktstatus | Aktiv |
Transistortyp | PNP |
Strom - Kollektor (Ic) (maximal) | 0.166666667 |
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (max) | 50 V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 2A |
Strom - Sammlergrenze (maximal) | 1 μA (ICBO) |
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Leistung - Max. | 3.5 W |
Häufigkeit - Übergang | 400 MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | TO-243AA |
Lieferanten-Gerätepaket | PCP |
Basis Pro2SA2013-TD-E Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W Oberflächenbefestigung PCPKanalnummer | 2JH2013 |
Anwendung von 2SA2013-TD-E
• Relaisantriebe, Lampentriebe, Motorantriebe, Blitz
Merkmale der 2SA2013-TD-E
• Einführung von FBET- und MBIT-Prozessen
• Große Stromkapazität
• Niedrige Sättigungsspannung zwischen Sammler und Emitter
• Hochgeschwindigkeitsschalter
• Ultrakleine Verpackung erleichtert die Miniaturisierung von Endprodukten
• Hohe zulässige Leistungsaufnahme
Umwelt- und Exportklassifizierungen von2SA2013-TD-E
ZEITEN | Beschreibung |
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
REACH-Status | REACH unberührt |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0075 |