• 2SA2013-TD-E Bipolartransistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W Oberflächenmontage PCP
2SA2013-TD-E Bipolartransistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W Oberflächenmontage PCP

2SA2013-TD-E Bipolartransistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W Oberflächenmontage PCP

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: 2SA2013-TD-E

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 1-3 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100,000
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Detailinformationen

Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 50V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 0.166666667 Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): 1 μA (ICBO)
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: 340mV @ 100mA, 2A Leistung - Max.: 3.5v
Frequenz - Übergang: 400 MHz Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Markieren:

2SA2013-TD-E

,

2SA2013-TD-E Bipolartransistor PNP

Produkt-Beschreibung

2SA2013-TD-E Bipolartransistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W Oberflächenmontage PCP

 

Spezifikationen 2SA2013-TD-E

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  Bipolar (BJT)
  Einzelbipolare Transistoren
Mfr Ein- und zweimal
Reihe -
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
Produktstatus Aktiv
Transistortyp PNP
Strom - Kollektor (Ic) (maximal) 0.166666667
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (max) 50 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 340mV @ 100mA, 2A
Strom - Sammlergrenze (maximal) 1 μA (ICBO)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Leistung - Max. 3.5 W
Häufigkeit - Übergang 400 MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse TO-243AA
Lieferanten-Gerätepaket PCP
Basis Pro2SA2013-TD-E Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W Oberflächenbefestigung PCPKanalnummer 2JH2013

 

Anwendung von 2SA2013-TD-E


• Relaisantriebe, Lampentriebe, Motorantriebe, Blitz

 

Merkmale der 2SA2013-TD-E


• Einführung von FBET- und MBIT-Prozessen
• Große Stromkapazität
• Niedrige Sättigungsspannung zwischen Sammler und Emitter
• Hochgeschwindigkeitsschalter
• Ultrakleine Verpackung erleichtert die Miniaturisierung von Endprodukten
• Hohe zulässige Leistungsaufnahme

 

 

Umwelt- und Exportklassifizierungen von2SA2013-TD-E

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 

2SA2013-TD-E Bipolartransistor PNP 50 V 4 A 400MHz 3,5 W Oberflächenmontage PCP 0

 

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