• MBRAF360T3G Elektronische Komponenten Diode 60 V 4A Oberflächenhalter SMA-FL
MBRAF360T3G Elektronische Komponenten Diode 60 V 4A Oberflächenhalter SMA-FL

MBRAF360T3G Elektronische Komponenten Diode 60 V 4A Oberflächenhalter SMA-FL

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: MBRAF360T3G

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Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 3-5 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000
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Detailinformationen

Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): 60 V Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): 4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: 630 Millivolt @ 3 A Geschwindigkeit: Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3 MA @ 60 V Kapazität @ Vr, F: -
Betriebstemperatur - Kreuzung: -65 °C bis 150 °C

Produkt-Beschreibung

MBRAF360T3G Elektronische Komponenten Diode 60 V 4A Oberflächenhalter SMA-FL
 
Spezifikationen MBRAF360T3G
 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Dioden
  Rectifikatoren
  Einzeldioden
Mfr Ein- und zweimal
Reihe -
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
Technologie Schottky
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal) 60 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io) 4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn 630 mV @ 3 A
Geschwindigkeit Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 3 mA @ 60 V
Kapazität @ Vr, F -
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse DO-221AC, SMA Flachleiter
Lieferanten-Gerätepaket SMA-FL
Betriebstemperatur - Kreuzung -65 °C bis 150 °C
Basisproduktnummer MBRAF360

 
 
Merkmale der
MBRAF360T3G


• Low-Profile-Paket für Raumbeschränkte Anwendungen
• Rechteckiges Paket für die automatisierte Handhabung
• Hochstabile Passivierungsverbindung mit Oxiden
• Betriebstemperatur des Knotenpunkts 150°C
• Schutzring zum Schutz vor Belastungen
• NRVB-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern;

AEC-Q101 Qualifiziert und PPAP-fähig
• Dies sind Pb­ und Halogenid­freie Geräte

 

 

AnwendungenMBRAF360T3G

 

Dieses Gerät verwendet das Schottky-Schrankenprinzip in einer Metall-zu-Silizium-Leistungsdiode mit großer Fläche.

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonMBRAF360T3G
 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080

 

 

MBRAF360T3G Elektronische Komponenten Diode 60 V 4A Oberflächenhalter SMA-FL 0

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