• SS8050DTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W Durch Loch TO-92-3
SS8050DTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W Durch Loch TO-92-3

SS8050DTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W Durch Loch TO-92-3

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: SS8050DTA

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 3-5 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Transistor-Art: NPN Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 1,5 A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 25 V Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: 500mV @ 80mA, 800mA
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Leistung - Max.: 1 W Frequenz - Übergang: 100 MHz

Produkt-Beschreibung

SS8050DTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W Durch Loch TO-92-3
 
SpezifikationenSS8050DTA
 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  Bipolar (BJT)
  Einzelbipolare Transistoren
Mfr Ein- und zweimal
Reihe -
Paket Schnittband (CT)
  Band und Box (TB)
Transistortyp NPN
Strom - Kollektor (Ic) (maximal) 1.5 A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (max) 25 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 80mA, 800mA
Strom - Sammlergrenze (maximal) 100nA (ICBO)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Leistung - Max. 1 W
Häufigkeit - Übergang 100 MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Typ der Montage Durchs Loch
Packung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) geformte Leitungen
Lieferanten-Gerätepaket TO-92-3
Basisproduktnummer SS8050

 
 
Merkmale derSS8050DTA


• 2 W-Ausgangsverstärker von tragbaren Funkgeräten der Klasse B
• Ergänzend zu SS8550
• Kollektorstrom: IC = 1,5 A
• Diese Geräte sind Pb-frei, Halogen-frei/BFR-frei und RoHS-konform

 


AnwendungenSS8050DTA


PCB-Größe: FR−4, 76 mm x 114 mm x 1,57 mm (3,0 Zoll x 4,5 Zoll x 0,062 Zoll) mit einer Mindestgröße des Bodenmusters.

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonSS8050DTA
 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) Nicht anwendbar
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 
SS8050DTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W Durch Loch TO-92-3 0

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert SS8050DTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1,5 A 100MHz 1 W Durch Loch TO-92-3 Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
Auf deine Antwort wartend.