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SIR662DP-T1-GE3 N-Kanal-MOSFETs 60 V 60 A (Tc) 6,25 W (Ta) / 104 W (Tc)
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Vorlage |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | LP2950CDT-5.0/NOPB |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 3-5 Tage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 |
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Detailinformationen |
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| Fet-Art: | N-Kanal | Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): | 60 V |
|---|---|---|---|
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: | 60A (Tc) | Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: | 2.7mOhm @ 20A, 10V | Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: | 2.5V @ 250µA |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 96 nC @ 10 V | Vgs (maximal): | ±20V |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: | 4365 pF @ 30 V | Verlustleistung (maximal): | 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) |
| Markieren: | SIR662DP-T1-GE3,N-Kanal-MOSFETs 60 V |
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Produkt-Beschreibung
SIR662DP-T1-GE3 N-Kanal-MOSFETs 60 V 60 A (Tc) 6,25 W (Ta), 104 W (Tc)
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
SpezifikationenSIR662DP-T1-GE3
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Einzelne FET, MOSFET | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Reihe | TrenchFET® |
| Paket | Band und Rolle (TR) |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 60 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal) | ± 20V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4365 pF @ 30 V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55 °C bis 150 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Packung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Basisproduktnummer | SIR662 |
Merkmale derSIR662DP-T1-GE3
• TrenchFET® Leistungs-MOSFET
• 100% Rg und UIS getestet
• Niedriges Qg für hohe Effizienz
AnwendungenSIR662DP-T1-GE3
• Primärer Seitenschalter
• POL
• Synchroner Geradrichter
• Gleichspannung/Gleichspannungskonverter
• Vergnügungssystem
• Industrie
• LED-Hintergrundbeleuchtung
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonSIR662DP-T1-GE3
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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