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IRFR3710ZTRPBF Elektronische Komponenten N-Kanal MOSFET 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Vorlage |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | IRFR3710ZTRPBF |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 3-5 Tage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 |
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Detailinformationen |
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| Fet-Art: | N-Kanal | Technologie: | MOSFET (Metalloxid) |
|---|---|---|---|
| Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): | 100 V | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: | 42A (Tc) |
| Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10 V | RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: | 18mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: | 4V @ 250µA | Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 100 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal): | ±20V | Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: | 2930 pF @ 25 V |
| Markieren: | IRFR3710ZTRPBF,IRFR3710ZTRPBF Elektronische Komponenten,100 V 42A N-Kanal-MOSFET |
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Produkt-Beschreibung
IRFR3710ZTRPBF Elektronische Komponenten N-Kanal 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
SpezifikationenIRFR3710ZTRPBF
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Einzelne FET, MOSFET |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Reihe | HEXFET® |
| Paket | Band und Rolle (TR) |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 100 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal) | ± 20V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2930 pF @ 25 V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 140 Watt (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Lieferanten-Gerätepaket | D-Pak |
| Packung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Basisproduktnummer | IRFR3710 |
Merkmale derIRFR3710ZTRPBF
* Fortgeschrittene Prozesstechnologie
* Ultra-niedriges Ansprechen
* Betriebstemperatur 175°C
* Schnell wechseln
* Wiederholte Lawine Erlaubt bis Tjmax
* Mehrere Paketoptionen
* Bleifrei
Anwendung von IRFR3710ZTRPBF
Dieses HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einsatzwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.Zusätzliche Merkmale dieses Konzepts sind eine Betriebstemperatur von 175 °CDiese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonIRFR3710ZTRPBF
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
