• SIR426DP-T1-GE3 N-Kanal-MOSFETs 40 V 30A
SIR426DP-T1-GE3 N-Kanal-MOSFETs 40 V 30A

SIR426DP-T1-GE3 N-Kanal-MOSFETs 40 V 30A

Produktdetails:

Herkunftsort: Vorlage
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: SIR426DP-T1-GE3

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Verpackung Informationen: Karton
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Detailinformationen

Fet-Art: N-Kanal Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 40 V Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: 30A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 2.5V @ 250µA Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Vgs (maximal): ±20V Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
Markieren:

SIR426DP-T1-GE3

,

SIR426DP-T1-GE3 MOSFETs

,

Oberflächenmontierte N-Kanal-MOSFETs

Produkt-Beschreibung

SIR426DP-T1-GE3 MOSFETs N-Kanal 40 V 30 A 4,8 W 41,7 W Oberflächenmontage PowerPAK®
 
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
 
Spezifikationen
SIR426DP-T1-GE3

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Einzelne FET, MOSFET
Mfr Vishay Siliconix
Reihe TrenchFET®
Paket Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Produktstatus Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 40 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 20 V
FET-Eigenschaft -
Leistungsausfall (maximal) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Packung / Gehäuse PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer SIR426

 

Merkmale derSIR426DP-T1-GE3


• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% Rg und UIS getestet

 

 

AnwendungenSIR426DP-T1-GE3


• Gleichspannungs­/Gleichspannungs­umwandler
- Synchroner Buck
- Synchronen Berichterstatter

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonSIR426DP-T1-GE3

 
ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

SIR426DP-T1-GE3 N-Kanal-MOSFETs 40 V 30A 0

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