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IRLML5103TRPBF Elektronische Komponenten MOSFET P-Kanal 30 V 760mA 540mW
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Vorlage |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | IRLML5103TRPBF |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 3-5 Tage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 |
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Detailinformationen |
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| Fet-Art: | P-Kanal | Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): | 30 V |
|---|---|---|---|
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: | 760mA (Ta) | Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: | 600mOhm @ 600mA, 10V | Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: | 1V @ 250µA |
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 5,1 nC @ 10 V | Vgs (maximal): | ±20V |
| Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: | 75 pF @ 25 V | Verlustleistung (maximal): | 540mW (Ta) |
Produkt-Beschreibung
IRLML5103TRPBF Elektronische Komponenten MOSFET P-Kanal 30 V 760mA 540mW
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
SpezifikationenIRLML5103TRPBF
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Einzelne FET, MOSFET |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Reihe | HEXFET® |
| Paket | Band und Rolle (TR) |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-Typ | P-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 30 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 760mA (Ta) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal) | ± 20V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75 pF @ 25 V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 540 mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55 °C bis 150 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Lieferanten-Gerätepaket | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen mit einem Brennstoffgehalt von mehr als 100 kW. |
| Packung / Gehäuse | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
| Basisproduktnummer | IRLML5103 |
Merkmale derIRLML5103TRPBF
* Technologie der 5. Generation
* Ultra-niedriges Ansprechverhalten
* P-KanalMOSFET
* SOT-23 Fußabdruck
* Niedriges Profil (< 1,1 mm)
* Erhältlich auf Band und Rollen
* Schnell wechseln
* Bleifrei
* RoHS-konform, halogenfrei
Beschreibung derIRLML5103TRPBF
Die Fünfte Generation von HEXFETs von International Rectifier nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erzielen.Dies ist in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das die HEXFET Power MOSFETs bekannt sind,, bietet dem Konstrukteur ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonIRLML5103TRPBF
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
