• 8PQFN FDMS5352 Transistor-IC Mosfet N-Ch 60V 13,6A/49A
8PQFN FDMS5352 Transistor-IC Mosfet N-Ch 60V 13,6A/49A

8PQFN FDMS5352 Transistor-IC Mosfet N-Ch 60V 13,6A/49A

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: FDMS5352

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Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Kartonkasten
Lieferzeit: Tage 1-3working
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100.000
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Detailinformationen

Produkt-Status: Aktiv Fet-Art: N-Kanal
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 60 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc) Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 6,7 mOhm bei 13,6 A, 10 V Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 3V @ 250µA
Markieren:

FDMS5352 Transister IC Mosfet

,

FDMS5352 Transister IC

,

8PQFN FDMS5352

Produkt-Beschreibung

FDMS5352 Transistor Integrated Circuits IC Mosfet N-Ch 60v 13,6a/49a 8pqfn

 

N-Kanal 60 V 13,6 A (Ta), 49 A (Tc) 2,5 W (Ta), 104 W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)

 

Spezifikationen von FDMS5352

 

TYP BESCHREIBUNG
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FETs, MOSFETs
Hersteller onsemi
Serie PowerTrench®
Paket Tape & Reel (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Produktstatus Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13,6 A (Ta), 49 A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6,7 mOhm bei 13,6 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 3 V bei 250 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 131 nC bei 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6940 pF bei 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2,5 W (Ta), 104 W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten 8-PQFN (5x6)
Paket/Koffer 8-PowerTDFN
Basisproduktnummer FDMS53

 

MerkmaleFDMS5352

 

• Max. rbs(on) = 6,7 mΩ bei Vcs = 10 V, lb = 13,6 A

• Max. fbs(on) = 8,2 mΩ bei VGs = 4,5 V, lb = 12,3 A

• Fortschrittliche Gehäuse- und Siliziumkombination für niedrige Ros(on)-Werte

• Robustes MSL1-Gehäusedesign

• 100 % UIL-getestet

• RoHS-konform

 

 

ANWENDUNGENvonFDMS5352

 
• DC-DC-Umwandlung
 

Umwelt- und Exportklassifizierungen vonFDMS5352

 

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unbegrenzt)
REACH-Status REACH Unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

8PQFN FDMS5352 Transistor-IC Mosfet N-Ch 60V 13,6A/49A 0
 

 

 



 

 

 

 

 

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