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CY62157ELL-45ZSXIT Temperatursensor Chip Ic Sram 8mbit Parallel 44tsop Ii
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | CY62157ELL-45ZSXIT |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Produkt-Status: | Aktiv | Gedächtnis-Art: | Flüchtig |
|---|---|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM | Technologie: | SRAM - Asynchron |
| Speicherkapazität: | 8 Mbit | Speicherorganisation: | 512K x 16 |
| Gedächtnis-Schnittstelle: | Parallel | Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | 45ns |
Produkt-Beschreibung
CY62157ELL-45ZSXIT Temperatursensor Chip Ic Sram 8mbit Parallel 44tsop Ii
SRAM – Asynchroner Speicher-IC 8 Mbit parallel 45 ns 44-TSOP II
Spezifikationen von CY62157ELL-45ZSXIT
| TYP | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Integrierte Schaltkreise (ICs) |
| Speicher | |
| Speicher | |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | MoBL® |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produktstatus | Aktiv |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM – Asynchron |
| Speichergröße | 8Mbit |
| Gedächtnisorganisation | 512K x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Schreibzykluszeit – Wort, Seite | 45ns |
| Zugriffszeit | 45 ns |
| Spannungsversorgung | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Oberflächenmontage |
| Paket/Koffer | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 44-TSOP II |
| Basisproduktnummer | CY62157 |
MerkmaleCY62157ELL-45ZSXIT
■ Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
- Industrie: –40 °C bis +85 °C
- Automotive-E: –40 °C bis +125 °C
■ Großer Spannungsbereich: 4,5 V–5,5 V
■ Extrem niedriger Standby-Stromverbrauch
- Typischer Ruhestrom: 2 A
- Maximaler Standby-Strom: 8 A (Industrie)
■ Extrem niedrige Wirkleistung
- Typischer Wirkstrom: 1,8 mA bei f = 1 MHz
■ Extrem niedriger Standby-Stromverbrauch
■ Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Funktionen
■ Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
■ CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
■ Erhältlich im bleifreien 44-Pin-TSOP-II- und 48-Kugel-VFBGA-Gehäuse
Anwendungen vonCY62157ELL-45ZSXIT
Der CY62157E ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 512K-Wörter mal 16 Bits organisiert ist.Dieses Gerät verfügt über ein fortschrittliches Schaltungsdesign, um einen extrem niedrigen Wirkstrom zu liefern.Dies ist ideal für die Bereitstellung einer längeren Batterielebensdauer (MoBL®) in tragbaren Anwendungen.Das Gerät verfügt außerdem über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn Adressen nicht umgeschaltet werden.Versetzen Sie das Gerät in den Standby-Modus, wenn die Option deaktiviert ist (CE1 HIGH oder CE2 LOW oder sowohl BHE als auch BLE sind HIGH).Die Eingangs- oder Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen Zustand hoher Impedanz versetzt, wenn:
■ Abgewählt (CE1HIGH oder CE2 LOW)
■ Ausgänge sind deaktiviert (OE HIGH)
■ Sowohl Byte High Enable als auch Byte Low Enable sind deaktiviert (BHE, BLE HIGH)
■ Schreibvorgang ist aktiv (CE1 LOW, CE2 HIGH und WE LOW)
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonCY62157ELL-45ZSXIT
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Stunden) |
| REACH-Status | REACH Unberührt |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
Größe und Tag:
TMS320F28377DPTPS
Temperaturfühler-Chip
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