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FM25H20-DG Temperatursensor Chip Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | FM25H20-DG |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Kartonkasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, L/C |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Paket: | Rohr | Produkt-Status: | Veraltet |
|---|---|---|---|
| Gedächtnis-Art: | Permanent | Gedächtnis-Format: | FRAM |
| Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) | Speicherkapazität: | 2 Mbit |
| Speicherorganisation: | 256K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle: | SPI |
Produkt-Beschreibung
FM25H20-DG Temperatursensor Chip Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
FRAM (Ferroelektrischer RAM) Speicher-IC 2Mbit SPI 40 MHz 8-DFN (5x6)
Spezifikationen von FM25H20-DG
| TYP | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Integrierte Schaltkreise (ICs) |
| Speicher | |
| Speicher | |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | F-RAM™ |
| Paket | Rohr |
| Produktstatus | Veraltet |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | RAHMEN |
| Technologie | FRAM (Ferroelektrischer RAM) |
| Speichergröße | 2Mbit |
| Gedächtnisorganisation | 256K x 8 |
| Speicherschnittstelle | SPI |
| Taktfrequenz | 40 MHz |
| Schreibzykluszeit – Wort, Seite | - |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Oberflächenmontage |
| Paket/Koffer | 8-WDFN freiliegendes Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-DFN (5x6) |
| Basisproduktnummer | FM25H20 |
MerkmaleFM25H20-DG
■ 2-Mbit ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (F-RAM) logischorganisiert als 256 K × 8
- Hohe Ausdauer für 100 Billionen (1014) Lese-/Schreibvorgänge
- 151 Jahre Datenspeicherung (siehe Datenspeicherung).UndAusdauertabelle)
- NoDelay™ schreibt
- Fortschrittlicher, hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
■ Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
- Bis zu 40 MHz Frequenz
-Direkter Hardware-Ersatz für seriellen Flash undEEPROM
-Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
■ Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
-Hardwareschutz mit Write Protect (WP)Stift
-Softwareschutz mit Write DisableAnweisung
-Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 odergesamte Array
■ Geringer Stromverbrauch
-1 mA Wirkstrom bei 1 MHz
-80n / A(typischer) Standby-Strom
-3n / AStrom im Schlafmodus
■ Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
■ Industrietemperatur –40 C bis +85 C
■ Pakete
-8-poliger kleiner integrierter Schaltkreis (SOIC)Paket
-8-poliges TDFN-Gehäuse (Thin Dual Flat No Leads).
■ Beschränkung gefährlicher Stoffe (RoHS)konform
Anwendungen vonFM25H20-DG
Der FM25H20 ist ein nichtflüchtiger 2-Mbit-Speicher mit einemfortgeschrittener ferroelektrischer Prozess.Ein ferroelektrischer DirektzugriffSpeicher oder F-RAM ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge durchähnlich einem RAM.Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 JahreGleichzeitig werden Komplexität, Overhead und Systemebene eliminiertZuverlässigkeitsprobleme, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere verursacht werdennichtflüchtige Speicher.
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonFM25H20-DG
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH Unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
Größe und Tag:
TMS320F28377DPTPS
Temperaturfühler-Chip
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